vhdl与数字集成电路设计vhdl23.pptVIP

下载本文档

0
0
约小于1千字
约 14页
2019-09-08 发布于浙江
举报
版权申诉

vhdl与数字集成电路设计vhdl23.ppt

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

2.1 数字系统的基本运算单元 2.2 开关电路与CMOS结构 2.3 静态分析：最大集成设计 2.4 动态分析：延迟时间及缓冲处理第二章数字集成电路的基本单元 VHDL与数字集成电路设计 MOS 器件的静态分析栅极电压吸引载流子形成导电沟道；沟道导电能力与栅极电压有关。 2.3 静态分析：最大集成设计 2.3 静态分析：最大集成设计 Polysilicon In Out V DD GND PMOS 2l Metal 1 NMOS Contacts N Well 2.3 静态分析：最大集成设计 Connect in Metal Share power and ground Abut cells CMOS 器件的静态分析 2.3 静态分析：最大集成设计逻辑电平容限：以放大区为隔离 CMOS 器件电压转移特性 2.3 静态分析：最大集成设计输入与输出的容限差别：噪声容限 2.3 静态分析：最大集成设计输出电流与驱动能力 2.3 静态分析：最大集成设计器件面积扩大，则驱动能力随之扩大。驱动能力与集成度的关系 2.3 静态分析：最大集成设计对驱动能力的不同需求：片内CMOS 负载: ~ uA 片外模拟器件负载： ~ mA 2.3 静态分析：最大集成设计