GB/T 33763-2017蓝宝石单晶位错密度测量方法.pdf

ICS 77.040 H 25 OB 中华人民共和国国家标准 GB/T 33763—2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法 Test method for dislocation density of sapphire single crystal 2017-05-31 发布 2017-12-01 实施 发布 GB/T 33763—2017 ■ r ■ —— 刖 弓 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)共同提出并归口。 本标准起草单位：江苏协鑫软控设备科技发展有限公司 、中国科学院上海光学精密机械研究所、深 圳市中安测标准技术有限公司。 本标准主要起草人:薛抗美 、黄修康、杭寅、尹继刚、田野、张永波、张毅。 T GB/T 33763—2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法 1范围 本标准规定了蓝宝石单晶位错密度的测量方法。 本标准适用于抛光加T后位错密度为0个/cn?〜100 000个/cn?的蓝宝石单晶位错密度的测量， 检测面为｛0001｝、｛1120｝、｛1012｝、｛1010｝面。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。凡是注日期的引用文件 ，仅注日期的版本适用于本文 件 。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 4方法提要 本方法采用择优化学腐蚀技术显示位错 。当用某些化学腐蚀剂腐蚀晶体表面时，在晶体表面上的 位错线露头处，腐蚀速度较快，因而容易形成由某些低指数面组成带棱角的具有特定形状的腐蚀坑 。可 用单位面积上的腐蚀坑数目标识位错密度Nd ，按式 （1）计算： 式中： Nd ——位错密度,单位为个每平方厘米 （个/cm2 ）; ——穿过视场面积S的位错线数目，单位为个; S ——视场面积，单位为平方厘米 （cn?）。 5化学试剂 5.1氢氧化钾（q~2.04 g/crn）,分析纯。 5.2氢氧化钠（q~2.13 g/crn）,分析纯。 5.3二氧化硅（ 卩~2.2 g/crn）,分析纯。 5.4 稀盐酸,p~1.047 g/mL。 6设备 6.1金相显微镜：放大倍数50倍〜500倍。 1 GB/T 33763—2017 6.2游标卡尺：精度0.02 mmo 6.3切、磨、抛加T设备。 6.4耐强碱、酸等化学药品腐蚀的容器。 6.5加热器：能将装有氢氧化钾或氢氧化钠的堆坍加热到400 °C。 7测量步骤 7.1试样制备 7.1.1定向切断 蓝宝石单晶晶锭的待测部分经定向后 ，切取厚度大于0.4 mm的单晶片，晶向偏离应小于5°。 7.1.2研磨 用3