GB/T 14142-2017硅外延层晶体完整性检验方法　腐蚀法.pdf

ICS 77.040 H 25 OB 中华人民共和国国家标准 GB/T 14142—2017 代替 GB/T 14142— 1993 硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法 Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon — Etching technique 2017-09-29 发布 2018-04-01 实 发布 GB/T 14142—2017 ■ r ■ —— 刖 弓 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 14142— 1993 《硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法》。 本标准与GB/T 14142-1993相比，主要技术变化如下： ——修订了方法提要 （见第4章,1993年版第2章）； 一一增加了干扰因素 （见第5章）； ——增加了无常溶液及其腐蚀方法（见5.2、6.13 、9.2.2）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC 203/SC 2）共同提出并归口。 本标准起草单位:南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司 、浙江金瑞泓科技股份有限 公司。 本标准主要起草人 ：马林宝、骆红、杨帆、刘小青、陈赫、张海英。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T 14142— 19930 T GB/T 14142—2017 硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法 1范围 本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。 本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验，硅外延层厚度大于2 pm,缺陷密度的测试 范围 0〜10 000 cm-2 0 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件 。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14264半导体材料术语 GB/T 30453硅材料原生缺陷图谱 3术语和定义 GB/T 14264和GB/T 30453界定的术语和定义适用于本文件。 4方法提要 用常酸、氢氟酸混合液或氢氟酸、硝酸、乙酸、硝酸银的混合溶液腐蚀试样，硅外延层晶体缺陷被优 先腐蚀 。用显微镜观察试样腐蚀表面，可观察到缺陷特征并对缺陷计数。 5干扰因素 5.1腐蚀液放置时间过长 ，有挥发、沉淀物现象出现，影响腐蚀效果。 5.2不同腐蚀液 （有铅、无铅）的选择，可能会造成部分硅外延片的腐蚀效果不同。 5.3腐蚀时间过短，如果缺陷特征不明显，或未出现蚀坑，则腐蚀时间应加长 ，同时监控硅外延层厚度。 5.4腐蚀时间过长，腐蚀坑放大，同时表面粗糙，会造成显微镜下背景不清晰，缺陷特征也不明显。 5.5 一次性腐蚀2片以上外延片，易造成腐蚀温度升高，腐蚀速率快，反应物易吸附在试样表面影响缺 陷观察，