GB/T 14844-2018半导体材料牌号表示方法.pdf

ICS 29.045 H 80 £3© 中华人民共和国国家标准 GB/T 14844—2018 代替 GB/T 14844— 1993 半导体材料牌号表示方法 Designations of semiconductor materials 2018-12-28 发布 2019-11-01 实施 发布 GB/T 14844—2018 ■ r ■ —— 刖 弓 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 14844— 1993 《半导体材料牌号表示方法》 ，与GB/T 14844— 1993相比主要技术 变化如下： ——修改了范围中本标准适用性的描述（见第1章，1993年版的第1章）； -将原3.1.1中生产方法和用途分成两项，并对牌号表示方法排序进行调整，名称为第一项，生 产方法为第二项（见3.1.1,1993年版的3.1）； -删除了多晶生产方法中的 “铸造法” ，增加了“T表示三氯氢硅法” 、“S表示硅烷法” 、“F流化床 法”和 “其他生产方法表示形式参照以上方法进行” （见3.1.3,1993年版的3.1.1）； -修改了 “N表示块状”为“C表示块状” ，并增加了“G表示颗粒状”和 “其他多晶形状表示形式 参照以上方法进行” （见3.1.4,1993年版的3.1.3）； ——增加了“E表示电子级用途”和“S表示太阳能级用途” （见3.1.6）； ——调整了单晶牌号表示方法排序 （见3.2.1,1993年版的3.2）； —增加了示例 “如硅单晶Si、碑化稼单晶GaAs、碳化硅单晶SiC、错单晶Ge、鶴化锢单晶InS 、磷 化稼单晶GaP和磷化锢单晶InP等” （见3.2.2）； ——增加了“C表示铸锭法” （见3.2.3）； —增加了导电类型示例 “例如N型导电类型掺杂元素有磷P 、饬S 、神As,P型导电类型掺杂元 素有硼B,区熔气相掺杂用FGD表示等” （见3.2.4）； ——增加了示例 “例如晶向 〈111〉、〈100〉和 〈110〉等” （见3.2.5）； —增加了示例 “如硅片Si、种化傢片GaAs 、碳化硅片SiC、错片Ge、饬化錮片InS 、磷化傢片GaP 和磷化锢片InP等” （见3.3.2）； ——增加了“SCW表示太阳能切割片” （见3.3.4）； ——调整了外延片牌号表示方法排序（见3.4.1,1993年版的3.4）； —增加了示例 “如硅外延片Si 、神化傢外延片GaAs 、碳化硅外延片SiC 、错外延片Ge 、饬化钢外 延片InS 、磷化傢外延片GaP和磷化钢外延片InP等” （见3.4.2）； ——增加了牌号中字母表示方法 （见附录A ）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会（SAC/TC 203/SC 2）共同提出并归口。 本标准起草单位：浙江省硅材料质量检验中心、有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公 司、浙江海纳半导体有限公司、东莞中傢半导体科技有限公司、南京国盛电子有限公司、江苏中能硅业科 技发展有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司