毕业论文：《等离子体化学气相沉积制备薄膜技术》.docVIP

PAGE XINYU UNIVERSITY 毕业设计（论文） （ 2012 届） 题 目 等离子体化学气相沉积制备薄膜技术 二级学院 新能源科学与工程学院 专 业 材料工程 班 级 09材料工程班 学 号 0903010010 学生姓名 指导教师 老师 目 录 TOC \o 1-3 \h \z \u 摘 要 h I Abstract h II 第1章 等离子体化学气相沉积的技术和基础 h 1 1.1 等离子的概念 h 1 1.2 等离子体的特性参数描述 h 2 1.3 等离子体的产生方法和原理 h 3 第2章 等离子体化学气相沉积制备薄膜的过程 h 4 2.1等离子体增强化学气相沉积的过程 h 4 2.1.1 等离子体内的化学反应 h 7 2.1.2 等离子化学气相沉积制备DLC膜的研究 h 9 第3章 PECVD的工艺流程以及生长表面的成膜反应 h 11 3.1 PECVD等离子体增强化学气相沉积的应用 h 11 3.1.1 生长表面的成膜反应 h 13 3.1.2 PECVD工艺流程和成膜的特点 h 15 结 论 h 18 参考文献 h 19 致 谢 h 20 等离子体化学气相沉积制备薄膜技术 摘 要 介绍了等离子体化学气相沉积的技术和基础，PECVD技术原理、系统以及工艺流程，制备薄膜生长的过程，表面成膜在微电子、能源、光纤通讯、超导材料等尖端技术中,都占有重要的地位,在机械、建材等工业以及日用消费品制造业中都有广泛的应用。从材料种类上来看,薄膜材料有金属、半导体和绝缘体,有单晶、多晶和非晶态,有无机和有机材料。薄膜的成膜方法很多。根据不同的材料,可以选用相应的成膜工艺。 关键词：等离子体；PECVD；薄膜生长 Plasma chemical vapor deposition thin film technology Abstract Introduced the plasma chemical vapor deposition technology and foundation, PECVD technology principle, system and process flow, the preparation of the growth of thin films is process, the surface film in microelectronics, energy, optical fiber communication, superconducting materials in the advanced technology, has an important position in machinery, building materials industry and daily consumer goods in the manufacturing industry is widely used. From material species to see, film materials are metal, semiconductors and insulation, a single crystal, polycrystalline and amorphous, inorganic and organic materials. The film into film many methods. According to the different material, can choose corresponding film technology. Keywords: plasma ; PECVD ; thin film growth 第1章 等离子体化学气相沉积的技术和基础 1.1 等离子的概念 近代科学研究的结果表明，物质除了具有