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第四届电子设计大赛(论 文)
基于单片机的电子声音报温温度计
学 院:
系 别:
信息技术学院
电子系
专业名称:
电子信息工程
学生姓名:
于洋、张爽
学 号:
0915100614、0915100625
指 导 教 师 姓 名:
李海成、张俊芳
完成日期 2013 年 6 月 15 日
TOC \o 1-3 \h \u CMOS 8位 单片机,片内含8k bytes的可反复擦写的 Flash只读程序存储器和256 bytes的随机存取数据存储器( RAM),器件采用 ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术生产,兼容标准MCS-51指令系统,片内置通用8位中央处理器和Flash存储单元,STC89C52单片机在电子行业中有着广泛的应用。单片机小系统的电路图如图3-1-1所示。
图3.1 单片机小系统电路
3.1.1 STC89C52单片机的主要特性:
(1)兼容MCS-51指令系统,4K字节可编程闪烁存储器;
(2)8k可反复擦写(大于1000次)Flash ROM;
(3)寿命为1000次写/擦周期,数据保留时间可10年以上;
(4)全静态工作模式:0Hz-33Hz;
(5)三级程序存储器锁定;
(6)128*8位内部RAM,32可编程I/O线;
(7)两个16位定时器/计数器,6个中断源;
(8)全双工串行UART通道,低功耗的闲置和掉电模式;
(9)低功耗空闲和掉电模式, 软件设置睡眠和唤醒功能;
(10)有PDIP、PQFP、TQFP及PLCC等几种封装形式,以适应不同产品的需求。
3.1.2 引脚功能及管脚电压
STC89C52为8位 通用微处理器,采用工业标准的C51内核,在内部功能及管脚排布上与通用的89S52相同。如图3.2所示。
图3.2 STC89C52引脚图
(1)P0口
P0口是一组8位漏极开路型双向I/O口,也即地址/数据总线复用口。作为输出口用时,每位能吸收电流的方式驱动8个TTL逻辑门电路,对端口P0写“1”时,可作为高阻抗输入端用。
在访问外部数据存储器或程序存储器时,这组口线分时转换地址(低8位)和数据总线复用,在访问期间激活内部上拉电阻。
在Flash编程时,P0口接收指令字节,而在程序校验时,输出指令字节,校验时,要求外接上拉电阻。
(2)P1口
P1是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口,P1的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对端口写“1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作输入口。作输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(IIL)。
(3)P2口
P2是一个带有内部上拉电阻的8位双向I/O口,P2的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对端口P2写“1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作输入口,作输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(IIL)。
在访问外部程序存储器或16位地址的外部数据存储器(例如执行MOVX@DPTR指令)时,P2口送出高8位地址数据。在访问8位地址的外部数据存储器(如执行MOVX@RI指令)时,P2口输出P2锁存器的内容。
Flash编程或校验时,P2亦接收高位地址和一些控制信号。
(4)P3口
P3口是一组带有内部上拉电阻的8位双向I/O口。P3口输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对P3口写入“1”时,它们被内部上拉电阻拉高并可作为输入端口。此时,被外部拉低的P3口将用上拉电阻输出电流(IIL)。
P3口除了作为一般的I/O口线外,更重要的用途是它的第二功能。
P3口还接收一些用于Flash闪速存储器编程和程序校验的控制信号。
(5)RST
复位输入。当振荡器工作时,RST引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。
(6)ALE/PROG
当访问外部程序存储器或数据存储器时,ALE(地址锁存允许)输出脉冲用于锁存地址的低8位字节。一般情况下,ALE仍以时钟振荡频率的1/6输出固定的脉冲信号,因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是:每当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE脉冲。
对Flash存储器编程期间,该引脚还用于输入编程脉冲(PROG)。
如有必要,可通过对特殊功能寄存器(SFR)区中的8EH单元的D0位置位,可禁止ALE操作。该位置位后,只有一条MOVX和MOVC指令才能将ALE激活。此外,该引脚会被微弱拉高,单片机执行外部程序时,应设置ALE禁止位无效。
(7)
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