西安石油大学电子工程学院电工电子技术课件第10章 基本放大电路.pptVIP

电子电路教研室 第10章 基本放大电路 10.1 晶体管 结论： 实现放大的条件 2） 静态工作点的计算 3） 动态分析 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 射极输出器 (共集电极放大电路)的特点： 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 解: 10.6.1 绝缘栅场效应管 耗尽型 动态时： RL ui T1 T2 A uo + - + - T1导通、T2截止； T2导通、T1截止； ic1 ic2 交流通路 uo 输入交流信号ui的正半周 输入交流信号ui的负半周 在过零的一个小区城内输出波形产生了失真，这种失真称为交越失真。 交越失真产生的原因 由于Tl、T2发射结静态偏压为零，放大电路工作在乙类状态，当输入信号 小于晶体管的死区电压时，两个晶体管都截止，在这一区域内输出电压为零，使波形失真。 　可给Tl、T2发射结加适当的正向偏压，以便产生一个不大的静态偏流，使Tl、T2导通时间稍微超过半个周期，即工作于甲乙类状态。 克服交越失真的措施 克服交越失真的甲乙类OCL功率放大电路 R2 和 VD1、VD2 上的压降使两管获得合适的偏压，工作在甲乙类状态。 静态时晶体管T1、T2虽然都已基本导通，但因它们对称， 为零，负载中仍无电 流流过。 仍 （2）无输出变压器（OTL）功率放大电路 采用单电源供电，用一个大容量的电容器代替OCL电路中的负电源、组成无输出变压器的功率放 大电路，简称OTL电路。 甲乙类OTL功率放大电路 静态时(ui= 0)： 由于电容C的隔直作用，负载中没有电流，输出电压为零。 电容两端的电压： 动态时： T1导通、T2截止；同时给电容充电； T2导通、T1截止；电容放电，相当于电源。 输入交流信号ui的正半周 输入交流信号ui的负半周 若输出电容足够大，其上电压基本保持不变，则负载上得到的交流信号正负半周对称。 ３．集成功率放大器 集成功放D2002接成 特点: 工作可靠、使用方便。只需在器件外部适当连线，即可向负载提供一定的功率。 音频功率放大电路 消振，防止高频自激 接地端 电源端 输出端 10.6 场效应晶体管及其放大电路 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 按结构不同场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 N沟道增强型管的结构： 1. 增强型MOS管 漏极 栅极 源极 高掺杂N区 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 N沟道增强型管的工作原理： 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，漏极电流近似为零。 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；当UGS UGS（th）时，还在表面形成一个N型层，称反型层，即勾通源区和漏区的N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。 当UGS ? UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。 在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变为 导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。 在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。 N沟道增强型管的工作原理： 特性曲线： 转移特性曲线 输出特性曲线 N沟道增强型MOS管的转移特性解析式为 在使用该式时还应注意，其中的 必须大于 否则 。 ， 跨导 gm：表示栅源电压对漏极电流的控制能力。 从转移特性曲线上看，跨导是工作点处的斜率，即 2. 动态分析 微变等效电路 （1）电压放大倍数 电压放大倍数Au?1且输入输出同相，输出电压跟随输入电压，故称电压跟随器。 （2）输入电阻 射极输出器的输入电阻高，对前级有利。 ri 与负载有关 （3）输出电阻 计算 的等效电路 射极输出器的输出电阻很小，带负载能力强。 1. 电压放大倍数小于1，约等于1; 2. 输入电阻高； 3. 输出电阻低； 4. 输出与输入同相。 射极输出器的应用 主要利用它具有输入电阻高和输出电阻低的特点。 1. 因输入电阻高，它常被用在多级放大电路的第一级，可以提高输入电阻，减轻信号