皖西学院机械与车辆工程学院模拟电子线路课件第3章 场效应管.pptVIP

第3章 场效应管 3.1 MOS场效应管 3.1 MOS场效应管 图3-1-1 N沟道EMOS管的结构示意图和电路符号 图3-1-2 N沟EMOS管中沟道受VGS、VDS的变化 图3-1-3 VGS一定，ID随VDS变化的特性 图3-1-4 N沟道EMOS管的伏安特性 图3-1-5 原点附近的输出特性曲线族 图3-1-6 MOS管看作压控电流源 图3-1-7 亚阈区转移特性 图3-1-8 栅极保护二极管 图3-1-9 不同VUS对特性曲线的影响 图3-1-10 P沟道EMOS管 图3-1-11 EMOS集成工艺 图3-1-12 DMOS管结构与电路符号 图3-1-13 N沟道DMOS管伏安特性曲线 图3-1-14 MOS管的小信号电路模型 图3-1-15 高频小信号电路模型 图3-1-16 例题1的电路 图3-1-17 例题2的电路 例题 例题1 例题2 3.2 结型场效应管 图3-2-1 N沟道JFET的结构示意图和电路符号 图3-2-2 P沟道JFET的结构示意图和电路符号 图3-2-3 N沟道JFET中当VDS=0时VGS对沟道宽度的影响 图3-2-4 N沟道JFET中VGS一定时VDS对沟道宽度的影响 图3-2-5 N沟道JFET的共源极输出特性曲线簇 图3-2-6 JFET看作压控电流源 3.3 场效应管应用原理 图3-3-1 N沟道EMOS管接成的有源电阻 图3-3-2 N沟道DMOS管接成的有源电阻 图3-3-3 用有源电阻接成的分压器 图3-3-4 开关示意图(a)及其理想伏安特性 图3-3-5 模拟开关 图3-3-6 分解成两个电路等效 图3-3-7 工作在非饱和区时Ron随vI变化特性 图3-3-8 CMOS模拟开关 图3-3-9 用两个等效CMOS的模拟开关 图3-3-10 CMOS开关导通电阻随vI变化特性 图3-3-11 开关电容电路等效为电阻 3.4 晶体三极管的伏安特性曲线 返回 图3-3-1 N沟道EMOS管接成的有源电阻 图3-3-2 N沟道DMOS管接成的有源电阻 图3-3-3 用有源电阻接成的分压器 图3-3-4 开关示意图(a)及其理想伏安特性 图3-3-5 模拟开关 图3-3-6 分解成两个电路等效 图3-3-7 工作在非饱和区时Ron随vI变化特性 图3-3-8 CMOS模拟开关 图3-3-9 用两个等效CMOS的模拟开关 图3-3-10 CMOS开关导通电阻随vI变化特性 图3-3-11 开关电容电路等效为电阻 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 * 下课 模 拟 电 子 线 路 主讲： 李贤志 副教授 办公室：A201 电 话：3306878(O) 3387761(H) Email:Lixzhi@wxc.edu.cn 返回 3.1 MOS场效应管 3.2 结型场效应管 3.3 场效应管应用原理 返回 图3-1-1 N沟道EMOS管的结构示意图和电路符号 图3-1-2 N沟道EMOS管中沟道受VGS、VDS的变化 图3-1-3 VGS一定，ID随VDS变化的特性 图3-1-4 N沟道EMOS管的伏安特性 下一页 图3-1-5 原点附近的输出特性曲线族 图3-1-6 MOS管看作压控电流源 图3-1-7 亚阈区转移特性 图3-1-8 栅极保护二极管 图3-1-9 不同VUS对特性曲线的影响 图3-1-10 P沟道EMOS管 返回 图3-1-11 EMOS集成工艺 图3-1-12 DMOS管结构与电路符号 图3-1-13 N沟道DMOS管伏安特曲线 图3-1-14 MOS管的小信号电路模型 例题 图3-1-15 高频小信号模型 图3-1-16 例题1的电路 图3-1-17 例题2的电路 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 例题1 例题2 返回 在图3—1—16所示N沟道EMOS管电路中，已知RG1=1.2MΩ, RG2=0.8MΩ,RS=4k Ω, RD=10kΩ,VDD=20V，管子参数μnCoxW/(2l)=0.25mA/V2,VGS(th)=2V,试求ID。 返回 图3—1—17所示为双电源供电的N沟道EMOS管电路，已知，RG=1MΩ,RS=4k Ω, RD=5kΩ,VDD=－VSS=10V，管子参数μnCoxW/(2l)=0.25mA/V2,VGS(th)=2V,求ID。 返回 图3-2-1 N沟道JFET的结构示意图和电路符号 图3-2-2 P沟道JFET的结构示意图和电路符号 图3-2-3 N沟道JFET中当VDS=0时VGS对沟道宽度的影响 图3-2-4 N沟道JFET中VGS一定时VDS对沟道宽度