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杭州电子科技大学学生考试卷-集成电路设计-2018年6月4日 填空题（每小题2分，共24分） N沟道MOSFET器件的参数为W=10μm,L=3μm,V VGS=0.5V，V VGS=1V，V VGS=2V，V 套筒式共源共栅运放的缺点是 和很难以输入输出短路的方式实现单位增益缓冲器，为了减小这些不利因素的影响，可以使用 运放。 在集成电路工艺中，光刻技术是一道非常重要的工艺，请列举光刻技术中的三个步骤 、 、 。 标准单元库中的单元包括 、 、 。 在CMOS工艺中，在金属淀积和光刻之后，用 工艺形成金属层连线。 选择题（每小题2分，共12分） N半导体衬底掺入 可以形成P型源漏区。 A.磷 B.硼 C.硅 D.砷化镓 在CMOS存储器中，可以用高电压擦除数据的是 A.EPROM B.EEPROM C.熔丝ROM D.DRAM 版图设计规则是由 提供的。 A.MASK工厂 B.集成电路封装厂 C.EDA工具提供商 D.集成电路前道制造厂 对于一个总直流相位偏移180°的n级反相放大器组成的环形振荡器，环路产生以 为周期的振荡。 A.2nTd B. 2(n+1)Td 在CMOS工艺中，氧化工艺产生的是 A.SiO3 B. SiO2 C. 用MSAK掩膜对准的工艺是 A.掺杂 B.氧化 C.光刻 D.钝化 名词解释（每题5分，共10分） 摩尔定律 版图设计规则 问答题和计算题（共54分） 在同一个P型衬底上分别画出NOMS和PMOS晶体管剖面图，并标出G，S，D（10分） 绘出标准CMOS反相器的电路图和版图（标明版图层次），并简述其工作原理（12分） 三态门电路如图所示，请简要叙述其工作原理（8分） 请采用CMOS逻辑门实现下列逻辑，画出电路图。 （1）Z=A(B+C)（6 （2）Z=A⊕B（6分） 图示CMOS理想电流源电路，W1= Kn=μNCox
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