GB/T 22572-2008表面化学分析　二次离子质谱　用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法.pdf

ICS 71．040．40 G04 a亘 中华人民共和国国家标准 20341：2003 GB／T22572--2008／ISO 表面化学分析 二次离子质谱 用多6层参考物质 评估深度分辨参数的方法 Surfacechemical mass analysis--Secondary—ionspectrometry-- Methodfor resolution estimating depth with referencematerials parametersmultipledelta—layer (IS020341：2003，IDT) 2008-12-1 1发布 宰瞀髁鬻瓣警襻瞥霎发布中国国家标准化管理委员会促19 GB／T22572--2008／IS020341：2003 刖 吾 本标准等同采用ISO20341：2003《表面化学分析——二次离子质谱——用多6层参考物质评估深 度分辨参数的方法》。 为便于使用，本标准对Is020341：2003做了下列编辑性修改： ——删除了原国际标准的前言部分； ——将本国际标准改为本标准。 本标准的附录A为规范性附录。 本标准由全国微束分析标准化技术委员会提出并归口。 本标准负责起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心。 本标准主要起草人：马农农、何友琴、何秀坤。 20341：2003 GB／T22572--2008／IS0 引 言 深度分辨是二次离子质谱(SIMS)深度剖析的一个重要参数。然而，在SIMS分析中，影响溅射深 度剖析结果的因素很多，包括离子束诱导的混合和偏析、电荷驱动的扩散、基体效应、弧坑形状和表面微 形貌等。只有了解并尽量降低以上因素的影响，才能得到最佳的深度分辨。 获取最佳的深度分辨通常要求特定的分析条件，包括超低的一次离子束能量、掠入射、旋转样品、低 温冷却样品等，所有这些条件在常规的SIMS分析中都很难满足。此外，对每一种样品所要求的最佳分 析参数可能很不相同。进而，各种仪器因素，如弧坑的形状、离子束的同一性、弧坑边沿效应的消除、质 量干扰、记忆效应、残气效应等，也会影响深度分辨的各个方面。 因此，在常规的SIMS分析条件下，难以直接评估深度分辨。本标准阐述了前沿衰变长度、后沿衰 变长度和高斯展宽的概念，提出了每个参数的测量步骤。多8层参考物质就可用于评估在常规SIMS 分析条件下的深度分辨参数。 Ⅱ GB／T22572--20081[S020341：2003 表面化学分析二次离子质谱 用多6层参考物质 评估深度分辨参数的方法 1范围 本标准详细说明了在SIMS深度剖析中，用多8层参考物质评估前沿衰变长度、后沿衰变长度和高 斯展宽三个深度分辨参数的步骤。 由于样品表面的物理和化学态受一次入射离子影响而不稳定，本标准不适用于近表面区域的8层。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而