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压敏电阻 压敏电阻 压敏电阻与被保护的电器或元器件并联。当电路中未出现电涌电压时，压敏电阻工作在预击穿区，等效电路中晶界电阻约为1012～1013Ω/cm，压敏电阻为高阻，不影响被保护设备正常运行；当电路中出现电涌电压时，由于压敏电阻器响应速度很快，它以纳秒级时间迅速导通，此时压敏电阻工作在击穿区，晶界被击穿，晶界电阻变小，其两端电压迅速下降，这样被保护的设备、元器件实际上承受的电压远远低于电涌电压，从而使其保护的设备、元器件免遭损坏；当电路中的电涌电压过后，压敏电阻恢复至预击穿区，呈高阻态，不影响设备正常运行。 压敏电阻 进货检验项目：铭牌标志、外观质量、包装质量、结构尺寸、压敏电压、漏电流、电容量、脉冲电流脉冲条件下的电压、最大峰值电流（参考项目）、电压比（参考项目）、可焊性、耐焊接热、引脚强度、－弯曲、引脚强度－抗拉力、气候顺序、上限类别温度、耐久性、振动、针焰试验、元件耐溶性、标志耐溶性、耐压（仅对绝缘型）、绝缘电阻（仅对绝缘型） 热敏电阻 阶跃型正温度系数（PTC-S，以下本文简称为PTC）热敏电阻：在热敏电阻器特性的有效部分，其电阻值随温度增加而增加，当温度增加到某一特定值时，电阻值呈阶跃式增加电阻值随温度而增加的电阻器，VDR（图示符号）。热敏电阻是利用半导体或高分子材料电阻率温度的影响变化很大的性质制成的温度敏感器件，热敏电阻主要用于温度检测、温度补偿、过电流保护、继电器时间延迟、电机启动等方面。在规定温度下，PTC热敏电阻器的电阻值，它是在其内部发热所引起的电阻变化，对于测量总误差而言可忽略不计的条件下所测的电阻值。 热敏电阻 主要参数： 1.1 标称零功率电阻 在室温25℃±2℃时，用DC1.5V以下的电压测量，PTC热敏电阻的标称零功率电阻为标称值，不超出规定范围。 热敏电阻 1.1 不动作特性 PTC热敏电阻的不动作特性符合表1的要求。 热敏电阻 过流动作特性：PTC热敏电阻的过电流动作特性符合表2的要求。 热敏电阻 最大电流：PTC热敏电阻在经过最大电流试验后，要求|ΔR/R|≤20%。 最大电流的试验条件如表3： 热敏电阻 最大电压：PTC热敏电阻在经过最大电压试验以后，不烧毁、不击穿；要求|ΔR/R|≤20%。 最大电压的试验条件如表4： 热敏电阻 恢复时间：PTC热敏电阻在经过恢复时间试验，从断电后起至其阻值降至标称阻值2倍时的时间应不多于90秒。 恢复时间试验条件如表5： 热敏电阻 失效模式试验：允许的失效模式是开路或高阻状态，但整个试验过程不得出现低阻态或起明火。 失效模式试验条件如表6： 热敏电阻 耐冲击电流能力：PTC热敏电阻在经过耐冲击电流能力试验以后，要求ΔR符合产品规格书要求。 耐冲击电流能力试验条件如表7： 接插件 接插件 接插件 连接器：装有接触件的整体，其接触件用于与插入式元器件的插脚进行电器连接。 负载能力：连接器在规定条件下，能在给定的电压下通过额定电流值。 接触电阻：在规定条件下一对接合的接触件的电阻． 绝缘电阻：与试样接触或嵌入试样的两个电极之间的绝缘电阻，是加在电极上的直流电压与施加电压一定时间后电极间总电流之比。它取决于试样的体积电阻和表面电阻。 接插件 插拔力：将压着后的端子装在壳体内，并去掉外部锁扣后将其与插座沿轴向进行插拔所需的插入力和拔出力。 端子保持力：将正确压接后的连接器固定于壳体内，沿连接器方向以一定速度拉伸线体，使连接器从壳体脱出时所需的最小拉力。 插针保持力：将针座固定，由顶端对插针施加推力，使插针与壳体之间发生位移所需的推力。 * * 三极管 三极管的输出特性曲线 可控硅 可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如下图所示 可控硅 主要检验项目 触发电流IGT；触发电压VGT；保持电流IH。 可控硅 由于飞利浦的双向可控硅更改了BT131-600的晶元，造成质量下滑，电控开发部重新确认了日本东芝、三菱和ST的双向可控硅，经过对比测试，几家供应商的产品在质量上存在一定的差异，主要表现在重复峰值断态电流和过载电流（1.5A）两个项目上，造成可控硅供货紧张，根据《关于可控硅生产使用注意事项的技术通知》、生产部《可控硅质量问题讨论会议纪要》和《可控硅检验标准》三份文件的要求，现在对可控硅的使用做出如下规定： 可控硅 可控硅重复峰值断态电流检测标准暂时由600VAC（交流）IDRM小于0.5mA改为600VDC（直流）IDRM小于0.5mA； 对于所有33、35、36、43、50等大功率机型及工作电源电压为110-130V的海外所有机型必须使用飞利浦BT131-600（国外封装）的原库存品（内部晶元改变前的