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99 年度 第 124組 國立勤益科技大學電子工程系 日四技實務專題報告 利用奈米蕭特基元件解決超淺介面之研究 Solve shallow junction issue for nano device 班級 四子四甲 : 組員：趙柏芳、許冠宇 指導教授：游信強老師 中華民國 99 年 1 月 I [摘要] 現在製程方式以 BULK和 SOI 為主，但是新技術 SOI 比 起 BULK 來說，各種電性都比較優良，不過最大的缺點就是 成本太高，價格太貴，因為這個缺點，所以大部分還是都採 用 BULK 製程方式，所以我們這個研究是想要改善BULK 的缺點，看能否用最低的成本來得到最好的效能，我們採用 NiSi化合物跟 TiSi化合物兩種不同的金屬來做 S/D極參雜， 然後再量測電性，而NiSi化合物跟 TiSi化合物比起來，NiSi 化合物有較低的漏電流、消耗功率，而 TiSi化合物則切換速 度較快，這兩種金屬化合物雖然有改善了一些缺點，但是跟 SOI 製程比起來，還是沒有比較好，不過我們以後會繼續往 這方面努力。 II 目錄[ ] 摘要I 目錄 II 圖目錄 III 一、簡介1 二、文件資料1 2.1 Bulk 與SOI 比較1 2.2 鈦矽化合物與鎳矽化合物2 三、模擬方式與系統介紹3 3.1 TCAD3 3.2 Tsuprem44 3.3 Medici4 3.4操作介面7 四、TSUPREM4 製程8 4.1 元件製作流程8 4.2模擬結果10 五、MEDICI電性圖 13 六、結論20 七、參考資料20 附錄 .(另外 WORD檔) III 圖目錄[ ] 圖 操作介面圖 3-1. Linux 7 圖 型基版、閘及氧化層 4-1 P 8 圖 4-2 沉積氧化層9 圖 4-3 沉積金屬產升矽化反應9 圖 4- 4 移除多餘的金屬 9 圖 鎳矽金屬連線閘極通道 奈米 4-5 10 10 圖 鎳矽金屬連線閘極通道 奈米 4-6 20 10 圖 鎳矽金屬連線閘極通道 奈米 4-7 50 11 圖 鈦矽金屬連線閘極通道 奈米 4-8 10 11 圖 鈦矽金屬連線閘極通道 奈米 4-9 20 12 圖 鈦矽金屬連線閘極通道 奈米 4-10 50 12 圖 鎳矽 奈米 特性線 5-1 50 IdVd 13 圖 鎳矽 奈米 特性線 5-2 50 IdVg 14 圖 鎳矽 奈米 特性