存储器原理与接口.pptxVIP

微机原理与接口技术;存储器;教学目的及重难点;一、引入——新型微机存储系统的层次结构;示例：;二、存储器的分类;三、存储器的性能指标;示例：存储器性能指标;基本存储单元 一个基本存储单元可以存放一位二进制信息，其内部具有两个稳定的且相互对立的状态，并能够在外部对其状态进行识别和改变。 存储体 一个基本存储单元只能保存一位二进制信息，若要存放M×N个二进制信息，就需要用M×N个基本存储单元，它们按一定的规则排列起来，由这些基本存储单元所构成的阵列称为存储体或存储矩阵。 地址译码器 由于存储器系统是由许多存储单元构成的，每个存储单元一般存放8位二进制信息，为了加以区分，我们必须首先为这些存储单元编号，即分配给这些存储单元不同的地址。地址译码器的作用就是用来接受CPU送来的地址信号并对它进行译码，选择与此地址码相对应的存储单元，以便对该单元进行读／写操作。存储器地址译码有单译码与双译码。;;译码器;片选与读／写控制电路 片选信号用以实现芯片的选择。对于一个芯片来讲，只有当片选信号有效时，才能对其进行读／写操作。片选信号一般由地址译码器的输出及一些控制信号来形成，而读/写控制电路则用来控制对芯片的读/写操作。 I/O电路 I/O电路位于系统数据总线与被选中的存储单元之间，用来控制信息的读出与写入，必要时，还可包含对I/O信号的驱动及放大处理功能。 集电极开路或三态输出缓冲器 为了扩充存储器系统的容量，常常需要将几片RAM芯片的数据线并联使用或与双向的数据线相连，这就要用到集电极开路或三态输出缓冲器。 其它外围电路 ;RAM(Random Access Memory)意指随机存取存储器，其工作特点是：在微机系统的工作过程中，可以随机地对其中的各个存储单元进行读／写操作。 读写存储器分为静态RAM与动态RAM两种。;六管静态存储单元;静态RAM存储器芯片Intel 2114;外部结构;动态RAM基本存储单元;动态RAM存储器芯片Intel 2164A;存储体：64K×1的存储体由4个128×128的存储阵列构成； 地址锁存器：由于Intel 2164A采用双译码方式，故其16位地址信息要分两次送入芯片内部。但由于封装的限制，这16位地址信息必须通过同一组引脚分两次接收，因此，在芯片内部有一个能保存8位地址信息的地址锁存器； 数据输入缓冲器： 用以暂存输入的数据； 数据输出缓冲器： 用以暂存要输出的数据； 1/4I/O门电路：由行、列地址信号的最高位控制，能从相应的4个存储矩阵中选择一个进行输入／输出操作； 行、列时钟缓冲器：用以协调行、列地址的选通信号； 写允许时钟缓冲器：用以控制芯片的数据传送方向； 128读出放大器：与4个128×128存储阵列相对应，共有4个128读出放大器，它们能接收由行地址选通的4×128个存储单元的信息，经放大后，再写回原存储单元，是实现刷新操作的重要部分； 1/128行、列译码器： 分别用来接收7位的行、列地址，经译码后，从128×128个存储单元中选择一个确定的存储单元，以便对其进行读/写操作。;动态RAM存储器芯片Intel 2164A;【思考】 1. 试说明存储器系统的主要性能指标。 2. 存储器的哪一部分用来存储程序指令及像常数和查找表一类的固定不变的信息？哪一部分用来存储经常改变的数据？ 3. 术语“非易失性存储器”是什么意思？PROM和EPROM分别代表什么意思？ 4. 微型计算机中常用的存储器有哪些类型？它们各有何特点？分别适用于哪些场合？ 5. 试比较静态RAM和动态RAM的优缺点，并说明有何种方法可解决掉电时动态RAM;只读存储器ROM;可编程的ROM;可擦除可编程的ROM;向该单元写入信息“0”：在漏极和源极（即S）之间加上十25v的电压，同时加上编程脉冲信号(宽度约为50ns)，所选中的单元在这个电压的作用下，漏极与源极之间被瞬时击穿，就会有电子通过SiO2绝缘层注入到浮动栅。在高压电源去除之后，因为浮动栅被SiO2绝缘层包围，所以注入的电子无泄漏通道，浮动栅为负，就形成了导电沟道，从而使相应单元导通，此时说明将0写入该单元。 清除存储单元中所保存的信息：必须用一定波长的紫外光照射浮动栅，使负电荷获取足够的能量，摆脱SiO2的包围，以光电流的形式释放掉，这时，原来存储的信息也就不存在了。 由这种存储单元所构成的ROM存储器芯片，在其上方有一个石英玻璃的窗口，紫外线正是通过这个窗口来照射其内部电路而擦除信息的，一般擦除信息需用紫外线照射l5~20分钟。;EPROM 芯片Intel 2716;存储阵列；Intel2716存储器芯片的存储阵列由2K×8个带有浮动栅的MOS管构成，共可保存2K×8位二进制信息； X译码器：又称为行译码器，可对7位行地址进行译码； Y译码器：又称为列译码器，可对4