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第六章 碳化硅双极型功率器件
6.1 碳化硅PiN二极管
6.2 碳化硅双极型晶体管
1
6.2.1 双极结型晶体管的概念回顾
6.2.2 功率双极结型晶体管
6.2.3 碳化硅双极结型晶体管
2
碳化硅双极型晶体管
6.2.1 双极结型晶体管的概念回顾
双极结型晶体管的基本结构
npn型晶体管 pnp型晶体管
双极结型晶体管 (BJT)是一种电流控制型三端器件,图示中
箭头方向表示电流流向。BJT的放大作用,主要依靠它的发射极
电流能够通过基区传输到达集电区而实现的。
3
碳化硅双极型晶体管
BJT器件的正向有源工作
正向有源工作 正向有源状态下npn型BJT内的载流子分布情况
正向有源工作模式:BE结正偏,BC结反偏
发射结正偏:电子从发射区越过发射结注入到基区;
集电结反偏:从发射区注入的电子会越过基区扩散到BC结的空间电荷区中,
空间电荷区中的电场会把电子扫到集电区中 。
4
碳化硅双极型晶体管
BJT晶体管的电流放大原理——低频共基极电流增益
JnE- :发射区注入到基区中的电子流;
JRB+ :发射极注入到基区的电子在扩散
过基区的过程中,一部分将同多子空穴
复合,因复合而失去的多子空穴由基极
补给,基极补给的多子空穴流;
JnC- :到达集电区的电子流;
J + :基区注入到发射区的多子空穴流
pE
JR- :注入到正偏BE结的电子与空穴在
空间电荷区复合产生的复合流;
npn型晶体管工作于正向有 +
源区时内部的载流子成分 JG :反偏BC结中电子和空穴产生形成
的空穴流;
J + :BC结的反向饱和电流;
pC0
5
碳化硅双极型晶体管
直流共基极电流增益
直流共基极电流增
相关的三个因子
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