GB/T 24581-2009低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法.pdf

犐犆犛２９．０４５ 犎 ８０ 中华人 民共和 国国家 标准 ／ — 犌犅犜２４５８１ ２００９ 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中 、 族杂质含量的测试方法 Ⅲ Ⅴ 犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犾狅狑狋犲犿 犲狉犪狋狌狉犲犉犜犐犚 狆 犪狀犪犾狊犻狊狅犳狊犻狀犾犲犮狉狊狋犪犾狊犻犾犻犮狅狀犳狅狉  犻犿 狌狉犻狋犻犲狊 狔 犵 狔 Ⅲ Ⅴ 狆 ２００９１０３０发布 ２０１００６０１实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 ／ — 犌犅犜２４５８１ ２００９ 前 言 　　 本标准等同采用 ＳＥＭＩＭＦ１６３００７０４《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中 、 族杂质含 　　 Ⅲ Ⅴ 量的测试方法》。 本标准与 ＳＥＭＩＭＦ１６３００７０４相比，主要有如下变化： ———用实际测量到的红外谱图代替 标准中的图 、图 。 ＳＥＭＩＭＦ１６３００７０４ ２ ３ ———用实验得到的单一实验室测试精密度代替 ＳＥＭＩＭＦ１６３００７０４中给出的单一实验室测试精 密度。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：四川新光硅业科技有限责任公司。 本标准主要起草人：梁洪、过惠芬、吴道荣。 Ⅰ ／ — 犌犅犜２４５８１ ２００９ 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中 、 族杂质含量的测试方法 Ⅲ Ⅴ １ 目的 　 １．１ 电子级多晶硅生产者和使用者都可采用 ＬＴＦＴＩＲ光谱来对多晶硅进行质量保证和研发目的的 　 测量。 光谱能定性和定量分析 、、 、 、 、 、 等痕量元素。 １．２ ＬＴＦＴＩＲ ＢＰＡｌＡｓＩｎＳｂＧａ 　 可用于 、 及其他（掺杂或不掺杂的）单晶硅分析，其检测范围如 所述。 １．３ ＬＴＦＴＩＲ ＦＺＣＺ