GB/T 6588-2000半导体器件　分立器件　第3部分：信号(包括开关)和调整二极管　第1篇　信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范.pdf

ICS31.080.10 L 41 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T6588-2000 eqvIEC747-3-1:1986 OC750001 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和 可控雪崩二极管空白详细规范 Semiconductordevices- Discretedevices Part3:Signal(includingswitching)andregulatordiodes SectionOne-Blankdetailspecificationforsignaldiodes switchingdiodesandcontrolled-avalanchediodes 2000一10一17发布 2001门0一01实施 国家 质 董 技 术 Alt督 局 发布 GB/T6588-2000 前 言 本标准等效采用IEC747-3-1:1986半《导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二 极管 第1篇— 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范》对GB/T6588-1986通《 用信号和(或)开关半导体二极管空白详细规范》进行修订。由于IEC747-3-1引用的IEC747-11《半导 体器件 第11部分:半导体器件分规范》是1985年版本，在此之后IEC747-11进行了多次修改，我国 已等同采用IEC747-11:1996修订了GB/T12560-1999半《导体器件 分立器件分规范》，为了使标准 更具有先进性和可操作性，本标准引用了GB/T12560-1999, 本标准与GB/T6588-1986的主要差别如下: 1 在标准文本前面增加了前言与IEC前言。 2 因引用的标准更改而修改的内容有: 引用标准处 GB/T 6588-1986 本标准 全文中涉及到 “总 GB/T4936.1-1985《半导体分立 GB/T4589.1-1989《半导体器件 规范”处 器件总规范》 分立器件和集成电路总规范D(IEC 747-10:1984) B8,C8分组 电耐 GB/T 1938-1985《半导体分立器 GB/T6571-1995《半导体器件 久性 件接收和可靠性》 分立器件 第 3部分:信号(包括开 关)和调整二极管$(IEC747-3:1985) B3,B4,B5分组 GB/T4937-1985《半导休分立器 GB/T4937-1995《半导体器件机 C3,C4分组 件机械和气候试验方法》 械和气候试验方法Y(IEC749:1984) B5分组 GB/T2423.4-1981《电工电子产 GB/T4937-1995(半导体器件机 交变湿热 品基本环境试验规程试验 Db:交变 械和气候试验方法A(IEC749:1984) 湿热试验方法》 增加了4.4.3正向浪涌电流”。 增加了可控雪崩二极管的技术内容。 根据GB/T6571-1995对2个电参数名