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第3章 载流子输运现象;本章节 主题;3.1 载流子漂移;3.1.1 迁移率;两种散射机制;3.1.2 电阻率;测量电阻率最常用方法：四探针法;3.1.3 霍耳效应;;3.2 载流子扩散;3.3 产生与复合过程;电流密度方程式;复合机制;3.3.1 直接复合;非平衡载流子的寿命;3.3.2 间接复合
非平衡载流子通过复合中心的复合
;3.3.3 表面复合——在半导体的表面发生的复合过程;3.4 连续性方程式;连续性方程：;3.4.1 单边稳态注入;3.4.2 表面的少数载流子
表面复合发生在半导体样品一端;3.5 热电子发射过程：假如载流子拥有足够的能量，他们可能被发射至真空能级。金半—欧姆接触; 对硅晶体，电场不太高时，漂移速度与电场呈线性关系，当电场持续增加，漂移速度增加缓慢，在电场足够大时，漂移速度趋近饱和。（300K，107cm/s）
n型砷化镓中的强电场输运与硅晶大不相同，漂移速度达到一最大值后，反??会减小，此现象是由于砷化镓的能带结构。微波转移电子器件。;雪崩过程：当半导体中的电场增加超过某一定值，载流子将得到足够能量发生雪崩电离产生电子-空穴对。如pn结的击穿。;作业3
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