Mosfet和GBT简介.pptVIP

增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) MOSFET是一种电压控制电流的开关器件，它有很多优点：耗能小、速度快、重量轻、寿命长等。 绝缘栅型场效应管 1. mosfet的符号（以N沟增强型为例）： G：栅极 D：漏极 S：源极 符号： Mosfet的输出特性曲线 Mosfet的转移特性曲线： ????????????????????????????????????? ????????????????????? ???????????????????? ????????????????????????????????????? 东芝SSM6J08FU小信号MOSFET的详细描述：?部件型号 SSM6J08FU 极性 P沟 漏源电压VDS -20 V 漏极电流ID -1.3 A 门阈值电压Vth, max -1.1 V 门阈值电压Vth, min -0.6 V 门-源电压VGSS (V) ±12 V 漏源导通电阻RDS(ON) (标准) 0.2 Ω VGS=-2.5 V? ?? ?? ?? ? 漏源导通电阻RDS(ON) (最大) 0.26 Ω VGS=-2.5 V? ?? ?? ?? ? 产品分类 小信号MOSFET ? ?? ?? ?? ? ? ??????????????????????????? ??????????????????????????? ???? 东芝公司MOSFET的图片： ???? 品牌:SINO-IC （上海光宇睿芯微电子有限公司） 型号:1N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:TV/电视 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600（V） 最大漏极电流:800（mA） 最大耗散功率:800（mW） ??????????????????????????? IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的介绍： IGBT是有BJT和mosfet组成的复合器件，兼具二者的优点：速度快，能耗低，体积小，而且大功率、大电流、耐高压。 IGBT的开关作用是通过正向栅极电压控制的，施加一定的正向电压即栅极电压大于发射极电压时，IGBT导通，反之IGBT关断。 特色标志:现货 型号:IKW40N120T2 厂家:INFINEON 批号:12+ 封装:TO-247 美国仙童飞兆半导体公 FairchildSemiconductor FGH40N60UFTU 美国国际整流器公司 International Rectifier IRG4BC30KDPBF  英飞凌公司 Infineon Technologies IGW25N120H3 MOSFET 和IGBT的差别： MOSFET全称功率场效应晶体管。 它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。 缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C）、发射极（E）和栅极(G）。 特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。 总的来说：MOSFET在低功率，较高频 应用中较好，1000w , 100KHz。IGBT在较低频，高功率应用中较好。 关于IGBT的一些产品的图片： 日本富士公司的产品2MBI200S-120集电极和发射极之间最高限压是1200V、最大限流是200A. 日本富士公司的EVL31-050 集电极和发射极之间的限压是500V、限电流是100A。 东芝公司的MG75N2YS40 MOSFET 和IGBT器件的适用类型：：