人教版化学选修三全国卷20142017高考真题 整理打印版.pdfVIP

选修三 高考真题 选修三 高考真题 1、【2017年高考理综全国卷Ⅲ-化学—选修3：物质结构与性质】（15分） 研究发现，在CO 低压合成甲醇反应 （CO +3H CH OH+H O）中，Co 氧化物负载的Mn 氧化 2 2 2 3 2 物纳米粒子催化剂具有高活性，显示出良好的应用前景。回答下列问题： （1）Co 基态原子核外电子排布式为______________________。元素Mn 与O 中，第一电离能较大 的是_________，基态原子核外未成对电子数较多的是_________________。 （2）CO 和CH OH 分子中C 原子的杂化形式分别为__________和__________。 2 3 （3）在CO 低压合成甲醇反应所涉及的4 种物质中，沸点从高到低的顺序为_________，原因是 2 ______________________________。 （4）硝酸锰是制备上述反应催化剂的原料，Mn(NO ) 中的化学键除了σ键外，还存在________。 3 2 （5）MgO 具有NaCl 型结构 （如图），其中阴离子采用面心立方最密堆积方式，X 射线衍射实验测 2- 得MgO 的晶胞参数为a 0.420nm，则r(O )为________nm。MnO 也属于NaCl 型结构，晶胞参 2+ 数为a 0.448nm，则r(Mn )为________nm。 2、【2016年高考理综全国卷Ⅲ-化学—选修3：物质结构与性质】(15分) 砷化镓 （GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下 列问题： （1）写出基态As 原子的核外电子排布式________________________。 （2）根据元素周期律，原子半径Ga_______As，第一电离能Ga________As。（填“”或“”） （3）AsCl 分子的立体构型为_______________，其中As 的杂化轨道类型为_______________。 3 （4）GaF 的熔点高于1000℃，GaCl 的熔点为77.9℃，其原因是________________________。 3 3 -3 （5 ）GaAs 的熔点为 1238℃，密度为ρg·cm ，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为 -1 ________________，Ga 与As 以________键键合。Ga 和As 的摩尔质量分别为M g·mol 和 Ga -1 M g·mol ，原子半径分别为r pm 和r pm，阿伏伽德罗常数值为N ，则GaAs 晶胞中原子 As Ga As A 的体积占晶胞体积的百分率为____________________。 1