相变存储器规模制造技术关键基础问题研究费下载.docVIP

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2018-09-19 发布于四川
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相变存储器规模制造技术关键基础问题研究费下载.doc

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项目名称：相变存储器规模制造技术关键基础问题研究中国科学院上海微系统与信息技术研究所 2010年1月-2014年8月中国科学院上海市科委实现PCRAM商用化问题是本项目拟解决的关键科学问题和主要研究内容如下：高性能PCRAM相变材料体系的研究通过使用稳定的二元固相、电中性(符合化学计量比)、p轨道电离度、4) s–p轨道的杂化程度这四个原则快速设计出新型相变材料的相图相图中最为可能的性能优良组份RAM单元和阵列，研究某一组分相变材料的电学性能，获得器件I-V、R-V和疲劳特性等，最为核心的是与存储数据保持力相关的材料的热稳定性研究。高密度PCRAM单元之间