（毕业设计论文）《ZrCL4分子层在羟化硅表面消去氯原子反应机理的理论研究（第2,3个氯原子）》.docVIP

PAGE 河南科技学院 2012届本科毕业论文 论文题目： ZrCL4分子层在羟化硅表面消去氯原子反应机理的理论研究（第2,3个氯原子） 学生姓名： 所在院（系）： 新科学院 所学专业： 化学工程与工艺 导师姓名： 完成时间： 2012年5月31日 ZrCL4分子层在羟化硅表面消去氯原子反应机理的理论研究 （第2,3个氯原子） 摘要 ZrCl4分子在羟化硅表面ALD的薄层中释放cl原子的研究是建立在密度函数理论的基础之上，现已有14种用来详细的研究脱去cl原子的反应途径。实验表明，HCL自身消除在低温下占有一定优势，脱去第二个cl原子的水解反应在高温下占优势。然而，计算表明升高温度不会导致HCL自身的消除反应处于不利地位。对于第三个和第四个cl原子，其在二聚物上的聚集反应在低温下更有利。但是，高温下有利于第三个cl原子的释放出现在邻近的二聚物上，第四个cl原子的释放出现在自身的二聚物。 关键词：密度函数理论，ZrCl4，薄膜，原子层沉积 A density functional theory study on the reactions of chlorine loss in ZrCl4thin films by atomic-layer deposition Abstract The chlorine loss reactions of ZrCl4 thin films of ALD on the hydroxylated silicon surface have been studied by the density functional theory. Fourteen possible pathways have been designed to investigate the detailed chlorine loss reaction mechanism. Based on the eExperiment shows that HCl self-elimination is the dominant reaction pathway at the low temperatures, and that hydrolysis is the dominant pathway at the high temperatures for the second chlorine loss reaction.However, calculations show that find that raising temperature would not result in HCl self-elimination reaction to be unfavorable. For the third and the fourth chlorines loss, the reactions on the two-dimer trench cluster are energetically more favorable at the low temperatures. However, the third chlorine loss occurs on the adjacent dimers, and the fourth chlorine loss occurs on the samedimer more easily at the high temperatures. Keywords: Density functional theory,ZrCl4, Thin film, Atomic layer deposition 目录 TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc300853283 1.绪论 5 HYPERLINK \l _Toc300853284 2.量子化学 6 HYPERLINK \l _Toc300853285 2.1量子化学概念 PAGEREF _Toc300853285 \h 10 HYPERLINK \l _Toc300853286 2.2量子化学发展史 PAGEREF _Toc300853286 \h 10 HYPERLINK \l _Toc300853287 2.3量子化学采用的理论方法 PAGEREF _Toc300853287 \h 11 HYPERLINK \l _Toc300853288 2.4量子化学研究内容 PAGEREF _Toc300853288 \h 12 HYPERLINK \l _Toc300853289 3.理论基础与应用软件 P