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《模拟电子技术》网上教学 主讲：赵玉铃 上次课内容 1、整流及各自特点。（熟悉） 2 、倍压整流及应用注意事项。（一般了解） 3 、滤波，电容滤波及计算。（理解） 4 、万用表判断二极管。（了解） 本次课内容（2 学时） 第二章 基本放大电路 把交流信号的电压量或电流量进行放大的电路。 §2-1双极型晶体三极管 图 1 几种不同类型的三极管外形图 2-1-1 双极型晶体三极管的结构及分类 即 BJT，可分为 NPN 型和 PNP 型三极管，其结构和符号分别如图 2（a）和（b）。 也可分为硅管和锗管，或高频管、中频管和低频放大管，或放大管和开关管。 目前我 国生产的硅管多为NPN 型，锗管多为 PNP 型。图 1 为三极管的几种常见外形。 一、NPN 型三极管的结构 如图 2 所示，NPN 型三极管有三个 区、三个极和两个结，即集电区、基区 和发射区，集电极、基极和发射极，集 图2 电结和发射结。三个极分别用 c、b 和 e 表示，发射极又简称为射极。在制造时， 通过工艺手段使集电结的面积特别大，基 区特别薄，而发射区掺杂浓度特别高。 二、NPN 型三极管内部载流子的运动 规律及电流放大作用 如图 3：Ec Eb ，发射结正偏，集电 结反偏；基区的多子向发射区扩散，发射 图3 NPN 型三极管内部载流子的运动规律 参考教材：《模拟电子技术及应用》（第二版） 编者：赵玉铃 徐柳娟 浙江水利水电专科学校 1 《模拟电子技术》网上教学 主讲：赵玉铃 区的多子向基区扩散，形成扩散电流I pe 和I ne 。因为发射区掺杂浓度高，而基区又薄，所 以发射区的大量电子扩散到基区后，只有少量电子与基区的多子 （空穴）复合形成复合电 流I rb ，其余的电子扩散到基区后成为基区的少子，同时由于集电结反偏，作为基区少子的 这些电子将越过基区漂移到集电区被集电结收集形成漂移电流I ，集电区的少子漂移到 nc 基区形成集电结反向电流I CBO 。管子中的少子和多子均参与导电，所以三极管称为双极型 晶体三极管。 I I +I c nc CBO I I +I −I b pe rb CBO I I +I e pe ne 由于三极管的工艺特点， I 、I 均很小，可忽略，则： CBO pe I ≈I c nc I ≈I b rb I ≈I e ne 通过试验发现，三极管发射结正偏，集电结反偏时，发射区的电子越过基区的数目和 在基区与空穴复合的数目总是成一定的比例，即 I I β nc ≈ c I I rb b 且当I rb 改变时，I nc 也按一定比例改变，即 ∆I ∆I β nc ≈ c ∆I ∆I rb b