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2018-07-18 发布于湖北
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SVF8N60T/F 说明书 8A、600V N沟道增强型场效应管描述 2 SVF8N60T/F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优 1 越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 3 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 1.栅极 2.漏极 3.源极器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。特点 1 1 ∗ 8A，600V，RDS(on)(典型值)=1.0Ω@VGS=10V 2 3 2 3 ∗ 低栅极电荷量 TO-220F-3L TO-220-3L ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力命名规则产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装形式 SVF8N60T TO-220-3L SVF8N60T 无铅料管 SVF8N60F TO-220F-3L SVF8N60F 无铅料管杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1 2011.08.30 Http:// 共8页第1页 SVF8N60T/F 说明书极限参数(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围参数符号单位 SVF8N60T SVF8N60F 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V T =25°C 8.0