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MCS-1单片机系统结构

第二章 MCS-51单片机系统结构 第一节 芯片引脚介绍 (P15) 一、封装形式 HMOS制造工艺的MCS-51单片机都采用40引脚双列直插(DIP)封装方式。例如:8031、8051。 CHMOS制造工艺的80C51/80C31芯片,除DIP封装外,还采用方形封装(PLCC)工艺。 另外,还有PGA封装,SQRF表面封装。 图2–2 80C51/80C52的封装及逻辑图 二、引脚(以8031/8051为例) 40条引脚: 2条是电源与地, 2条是外接晶体引脚, 4条控制线或其它电源的复用线, 32条输入/输出(I/O)引脚。 1.主电源引脚VSS和VCC VSS(Pin20):地(GND) VCC(Pin40):电源引脚,+5V电压 2.外接晶体引脚 XTAL1(Pin19)、XTAL2(Pin18):芯片内部晶体振荡电路的反相器输入、输出端。使用内部振荡电路时,两引脚用来外接石英晶体。 3.控制信号引脚 PSEN:外部程序存贮器的读选通信号(Pin29) 在对外部程序存贮器取指令时,PSEN每个 机器周期产生两次有效。 在执行内部程序存贮器取指令时,PSEN无 效。 在执行外部程序时,每次访问外部数据存 贮器期间,减少两个PSEN脉冲输出。 EA/Vpp:访问外部程序存储器控制信号(Pin31) 当EA为低电平时,CPU仅执行外部程序存贮器中的程序(对于8031,由于其内部无程序存贮器,EA必须接地,这样才能只选择外部程序存贮器)。 当EA为高电平时,CPU先执行内部程序存贮器中程序,当PC(程序计数器)值超过OFFFH(对8051/8751/80C51)或1FFFH(对8052),将自动转向执行外部程序存贮器,即:低地址在内,高地址在外。 对于EPROM型单片机(8751),在EPROM编程期间,加21V编程电源(Vpp)。 ALE/PROG:地址锁存允许信号(Pin30) 在访问外部存贮器时,ALE的输出用 于锁存地址的低8位。 在非访问外部存贮器期间,ALE以振 荡频率的1/6固定速率输出,能作外 部时钟或定时用。 在访问外部数据存贮器期间,则以 1/12 fosc频率输出ALE脉冲(即减少一个 ALE脉冲)。 对于EPROM型单片机(8751),在EPROM编程期间,此引脚用于输入编程脉冲PROG。 RST/Vpd:复位信号输入端/内部RAM备用电源输 入端 (Pin9) 连续2个机器周期的高电平复位该芯片。 对于具有掉电保护功能的单片机,该引脚可接备用电源(Vpd),当电源电压下降到低于规定电平时,则Vpd在其规定范围(5±0.5V)内向内部RAM提供备用电源。 4.输入/输出引脚(4个端口,共32条) P0口( P0.0~P0.7):8位(准)双向并行I/O口 ( Pin39~32 ) 负载能力:8个LSTTL 当访问外部存贮器时,它是复用总线, (1)作为数据总线D0~D7 (2)作为地址总线的低八位(A0~A7) P1口(P1.0 ~P1.7):8位准双向并行I/O口 (Pin1~8) 负载能力:4个LSTTL 对于8032/8052:P1.0引脚具第二功能,为T2定时/计 数器的外部输入端 P1.1引脚的第二功能为T2 EX捕捉、 重装触发,即T2的外部控制端。 对EPROM编程和程序校验期,它接收低八位地址。 P2口(Pin21~28):8位准双向并行I/O口 负载能力:4个LSTTL 在访问外部存贮器时,作为地址总线高8位。 在对EPROM编程和程序验证时,它接收高8位 地址和控制信号。 P3口(Pin10~17):8位准双向并行I/O口 负载能力:4个LSTTL 可提供以下特殊功能(也称第二功能) P3.0(RXD)——串行数据接收端 P3.1(TXD)——串行数据发送端 P3.2(INT0)——外部中断0请求输入端 P3.3(INT1)——外部中断1请求输入端 P3.4(T0)——定时器/计数器0外输入端 P3.5(T1)——定时器/计数器1外输入端 P3.6(WR)——外部数据存贮器写选通控制线 P3.7(RD)——外部数据存贮器读选通控制线 第二节 芯片结构(P12) 以8051为例,其主要包含如下功能部件: ①一个8位CPU ② 4K字节的程序存贮

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