半导体量子点发光.docxVIP

PAGE \* MERGEFORMAT PAGE \* MERGEFORMAT 2半导体量子点发光一、半导体量子点的定义当半导体的三维尺寸都小于或接近其相应物质体相材料激子的玻尔半径（约5.3nm）时，称为半导体量子点。二、半导体量子点的原理在光照下，半导体中的电子吸收一定能量的光子而被激发，处于激发态的电子向较低能级跃迁，以光福射的形式释放出能量。大多数情况下，半导体的光学跃迁发生在带边，也就是说光学跃迁通常发生在价带顶和导带底附近。半导体的能带结构可以用图的简化模型来表示。如图所示，直接带隙是指价带顶的能量位置和导带底的能量位置同处于一个K空间，间接带隙是指价带顶位置与导带底位置的K空间位置不同。电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射光子，这是半导体的发光现象。对于半导体量子点，电子吸收光子而发生跃迁，电子越过禁带跃迁入空的导带，而在原来的价带中留下一个空穴，形成电子空穴对（即激子），由于量子点在三维度上对激子施加量子限制，激子只能在三维势垒限定的势盒中运动，这样在量子点中，激子的运动完全量子化了，只能取分立的束缚能态。激子通过不同的方式复合，从而导致发光现象。原理示意图，如图所示，激子的复合途径主要有三种形式 。电子和空穴直接复合,产生激子态发光。由于量子尺寸效应的作用,所产生的发射光的波长随着颗粒尺寸的减小而蓝移。(2)通过表面缺陷态间接复合发光。在纳米颗粒的表面存在着许多悬挂键,从而形成了许多表面缺陷态。当半导体量子点材料受光的激发后,光生载流子以极快的速度受限于表面缺陷态而产生表面态发光。量子点的表面越完整,表面对载流子的捕获能力就越弱,从而使得表面态的发光就越弱。(3)通过杂质能级复合发光。杂质能级发光是由于表面分子与外界分子发生化学反应生成其它杂质，这些杂质很容易俘获导带中的电子形成杂质能级发光。以上三种情况的发光是相互竞争的。如果量子点的表面存在着许多缺陷,对电子和空穴的俘获能力很强,电子和空穴一旦产生就被俘获,使得它们直接复合的几率很小,从而使得激子态的发光就很弱,甚至可以观察不到,而只有表面缺陷态的发光。为了消除由于表面缺陷引起的缺陷态发光而得到激子态的发光,常常设法制备表面完整的量子点或者通过对量子点的表面进行修饰来减少其表面缺陷,从而使电子和空穴能够有效地直接复合发光。 三、量子点修饰对于量子点来说,它的稳定性有限、毒性高、存在表面缺陷等缺点使量子点在应用方面受到了很大的制约。所以科学家就想到了量子点修饰来解决这些问题。量子点修饰中最主要的就是杂化,它可以与无机、有机、高分子和生物材料等进行杂化。这些杂化材料中,核壳结构杂化材料,因其大小不同及组成和结构排列不同等而具有着特殊的性质如光、磁、化学等性质。所谓核壳结构,就是由中心的核和包覆在外部的壳构成。核壳材料一般是圆形粒子也可以是其他形状,包覆在粒子外边的壳材料可以改变并赋予粒子特殊的电学、光学、力学等性质。因此,人们就量子点的表面修饰进行了大量研究 例如,设计生物相容性的表面配体使量子点可与特异性生物识别分子抗原,抗体等等连接图巧。根据量子点外包覆物的组成类型不同,可以分为无机物包覆和聚合物包覆两种。四、半导体量子点的特性及发光特性1.半导体量子点的几个效应（1）量子限域效应通常,体积越小,带宽就越大，半导体的光学性质和电学性质,在很大程度上依赖于材料的尺寸。因此,半导体材料的尺寸减小到一定值通常只要等于或者小于相对应的体相材料的激子玻尔半径以后,其载流子电子一空穴对的运动就会处于强受限的状态类似在箱中运动的粒子,有效带隙增大,半导体材料的能带从体相的连续结构变成类似于分子的准分裂能级。粒径越小能隙就越大,半导体材料的行为便具有了量子特性,量子化后的能量为：E(R)=Eg+h2π2/2uR2-1.8/εR 式子中Eg是 体相带隙，u是电子、空穴的折合质量，ε是量子点材料的介电常数，R是粒子的半径，第二项是量子点受限项，第三项是库伦项。E(R)就是最低激发能量，E（R）与Eg的差是动能的增加量。从上式可以看出，半导体量子点的受限项与1/R2成正比，库仑力与1/R成正比，它们都随着R的减小而增大。受限项使能量向高的能量方向移动，即蓝移；而库伦项使能量向低的能量方向移动，即红移动。R足够小时，前者的增大就会超过后者的增大，即受限项成为主项，导致最低激发态能量向高的能量方向移动，这就是我们在实验中观察到的量子限域效应。也就是说，半导体纳米材料的尺寸控制着电子的准分裂能级间的距离以及动能增加的多少。其尺寸越小，能级间的距离就越大，动能增加越多，光吸收和光发射的能量也就越高。（2）量子尺寸效应由上述公式可得量子限域能和库仑作用能分别与1/R2和与1/R 成正比，前者可增加带隙能量（蓝移），后者可减小带隙能量（红移）。在 R 很小的时候，量子限域