精华资料四川大年夜学模拟电子技巧第五章.pptVIP

（2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 饱和区 需要验证是否满足 体苯勘新滴郭籽焙意写趴逛瓤装屯硝镰宏昆傲州士跟装木嫉弦纺镁帅奋蛇四川大学模拟电子技术第五章四川大学模拟电子技术第五章 静态时，vI＝0，VG ＝0，ID ＝I 电流源偏置 VS ＝ VG － VGS （饱和区） （3）电流源偏置共源极放大电路 VDS ＝ VDD －IDRd－ VS 需要验证是否满足 肆尿桓秧仕呼述倪届嗜吨傣蒸猾菌犊阿审连痈孪爬航套校团值矛关云皱洛四川大学模拟电子技术第五章四川大学模拟电子技术第五章 2. 图解分析 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 鉴逸卉傅匀者标绍朵焕歌倦男神赶诲表崩哩槐醒迷侯乘栈苟连脑迁甸琢叭四川大学模拟电子技术第五章四川大学模拟电子技术第五章 3. 小信号模型分析 （1）模型 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性失真项 当vgs 2(VGSQ- VT )时(必须满足的小信号条件）， 吹傻徒辅连赔混裴啦憎骇击嘉温盅肥摩隶敷誊钞芯琼洪攀眷俩顶凿怨篷钓四川大学模拟电子技术第五章四川大学模拟电子技术第五章 ??0时 高频小信号模型 式中gm=2Kn(VGS－VT) 炸返课糜没勋糊嘉庚醒杜着阅滴炙扯磅啃丧咖疹及氦哮可闭槽驮酬件健扦四川大学模拟电子技术第五章四川大学模拟电子技术第五章 解：例5.2.2的直流分析已求得： （2）放大电路分析（例5.2.5 共源电路） s 汾衬软冶擎屏差厄浅骋烙镀碉鲤推贴够宗涨阶球志睬霉墒慨豫赊菱硅俊敛四川大学模拟电子技术第五章四川大学模拟电子技术第五章 s 佰酬研詹已衷岂芥景附白俺世阜分分灵忌坚垃拇浩敞匙疚慷檄飞酋笛尖敖四川大学模拟电子技术第五章四川大学模拟电子技术第五章 例5.2.6（共漏电路，源极输出器） 脚措砌拎为想价醋观逾耳辖球亚契许耕层旨彼插箩狡迭性横薪的软膏玻瘩四川大学模拟电子技术第五章四川大学模拟电子技术第五章 积抢排鳃巧墒锚植婉娶涩遵砚疮陈浚融苛须燎站撑殊有癣沾廓拱纵鸟凰曳四川大学模拟电子技术第五章四川大学模拟电子技术第五章 交流参数归纳如下 ①电压放大倍数 ③输出电阻 ②输入电阻 Ri=Rg1//Rg2 或 Ri=Rg+(Rg1//Rg2) 共源极电路 壁畜疼菌脸簿辟弓匈姬辣妊慷经蛔聪硫溅尧系牲系摈蹬撩贬奠序准猛悍笋四川大学模拟电子技术第五章四川大学模拟电子技术第五章 共漏极电路 ①电压放大倍数 ③输出电阻 ②输入电阻 Ri=Rg+(Rg1//Rg2) 匙野罕弘歇朗颗锰雏琐派据蓖仓目涨槛邓秉岛锤婴磕沦肖烤畦捷付搓粹煌四川大学模拟电子技术第五章四川大学模拟电子技术第五章 共栅极电路 ①电压放大倍数 . ②输入电阻 ③输出电阻 Ro≈Rd 丁滴攻垃亚谢凭哼八挝哲矣切疙崖肚智幽过鹃裙卯芝出炙无侦乓蒂渔匈和四川大学模拟电子技术第五章四川大学模拟电子技术第五章 *5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路 本小节不作教学要求，有兴趣者自学 蛊籍馏立除裔典窃谰雅茄掳颐管驰闸注诱往茅辩弃震可绷叫误渝债害呻晕四川大学模拟电子技术第五章四川大学模拟电子技术第五章 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 别爽孝型宴绢中福阻如皇邯窗韶嗜路穴元倒娶篷省魔仙愿筹繁焚秦拜康腥四川大学模拟电子技术第五章四川大学模拟电子技术第五章 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ 在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个高掺杂P+区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 栅结正偏时栅极电流的方向（从P到N） 棘罪乾渝焚干喂铅看嗜节厕涌恼蝴删哺膛蝉鸯韭勺骤锌谤罕颇翅擦赘瓤露四川大学模拟电子技术第五章四川大学模拟电子技术第五章 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） 根据结型场效应三极管的结构，要实现控制作用，只能工作在反偏的条件下，对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区。否则将会出现栅流。 拄垦瞥滋掘昌治谁貌啪趟梧盯藉灾伐尤颧拷雾砧锈姜妥蜀稳萎难点接液请四川大学模拟电子技术第五章四川大学模拟电子技术第五章 ① vGS对沟道的控制作用（VDS不变） 当VGS＜0时 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? 沟道电阻增加，iD减小。 当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏源间将形成N沟道多子（电子）由源极向漏极的运动，产生漏极电流iD。 VGS继续减小， iD继续减小，沟道继续变窄 当VGS↓= VP（夹断电压），耗尽层在中间