自学考试0223《电子技术基础(一)》历年真题全套试题.docVIP

自考02234《电子技术基础(一)》历年真题集电子书 目录 1. 目录 3 2. 历年真题 4 2.1 02234电子技术基础(一)200404 4 2.2 02234电子技术基础(一)200504 9 2.3 02234电子技术基础(一)200604 14 2.4 02234电子技术基础(一)200704 21 2.5 02234电子技术基础(一)200804 25 2.6 02234电子技术基础(一)200904 28 2.7 02234电子技术基础(一)201004 32 2.8 02234电子技术基础(一)201104 36 2.9 02234电子技术基础(一)201204 39 3. 相关课程 43 1. 目录 历年真题() ????02234电子技术基础(一)200404() ????02234电子技术基础(一)200504() ????02234电子技术基础(一)200604() ????02234电子技术基础(一)200704() ????02234电子技术基础(一)200804() ????02234电子技术基础(一)200904() ????02234电子技术基础(一)201004() ????02234电子技术基础(一)201104() ????02234电子技术基础(一)201204() 相关课程() 2.1 02234电子技术基础(一)200404 2004年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础（一）试题 课程代码2234 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（　　　） A．本征半导体 B．温度 C．杂质浓度 D．掺杂工艺 2．理想二极管构成的电路如题2图所示，则（　　　） A．V截止U0＝－10V B．V截止U0＝－3V C．V导通U0＝－10V D．V导通U0＝－6V 3．某电路中晶体三极管的符号如题3图，测得各管脚电位标在图上，则该管处在（　　　） A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 D．状态不能确定 4．FET的转移特性如题4图所示，则该管为（　　　） A．N沟道耗尽型 B．N沟道增强型 C．P沟道耗尽型 D．P沟道增强型 5．下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（　　　） A．共射组态 B．共基组态 C．共集组态 D．共漏组态 6．某单级放大电路的通频带为，由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路，其总的通频带应是（　　　） A．＝2 B． C．2 D． 7．若要求放大电路取用信号源的电流小，而且带负载能力强，在放大电路中应引入的负反馈类型为（　　　） A．电流串联 B．电压串联 C．电流并联 D．电压并联 8．要想使振荡电路获得单一频率的正弦波，主要是依靠振荡器中的（　　　） A．正反馈环节 B．稳幅环节 C．基本放大电路环节 D．选频网络环节 9．在单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则每只整流二极管承受的最大反向电压为（　　　） A．10V B．V C．V D．20V 10．下列数中，最大的数是（　　　） A．（3D）16 B．（57）10 C．（65）8 D．（111010）2 11．逻辑函数F＝的反函数为（　　　） A． B． C． D． 12．逻辑函数F（A、B、C）＝m1+m3+m6+m7，其最简与或表达式为（　　　） A．F＝AB＋ B．F＝A＋C C．F＝B＋C D．F＝AB＋BC 13．逻辑函数F＝A＋AB＋C＋ACDEF的最简与或式为（　　　） A．F＝A＋C B．F＝A＋C C．F＝A D．F＝AB 14．TTL集电极开路门构成的电路如题14图所示，其输出函数F为（　　　） A．F＝ABC＋ B．F＝＋DE C．F＝· D．F＝ 15．要使T触发器Qn+1=则T＝（　　　） A．Qn B．0 C．1 D． 二、填空题（本大题共10小题，每空1分，共10分） 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 16．PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位________________。 17．PN结加正偏导通，加反偏截止，称为PN结的________________性能。 18．某放大状态的晶体管，知β＝50，测得其IE＝2.04mA，