专用集成电路的设计实践第5章 版图的设计.ppt

5.1　版图设计软件使用简介5.1.1　L－Edit版图设计软件　　L－Edit是Tanner公司出品的一款针对版图设计的应用软件,它允许生成和修改集成电路掩膜版上的几何图形。鼠标接口允许用户执行一般图形操作,既可使用鼠标访问下拉菜单,也可以使用键盘来调用L－Edit命令。 　　1.简单介绍 1)鼠标的使用L－Edit推荐使用三键鼠标,如果使用两键鼠标,则中键的功能由按下Alt键的同时按下左键来实现。　　2)屏幕显示　　空格键用于屏幕刷新,而其他键和鼠标任一键可中断屏幕刷新;↑、↓、←、→用于显示窗口的上、下、左、右移动;“＋”用于放大屏幕中的内容,而“－”用于缩小屏幕中的内容。　　3)调整网格点　　可通过Setup→Design→Grid来调节网格宽度,通常设一个网格为1μm。 　　2.基本命令　　1)文件操作命令(File)　　(1)New:打开一个新的设计文件,单键命令为Ctrl+N。　　(2)Open:打开一个已存在的磁盘文件,此文件的格式必须为TDB、CIF或GDSⅡ,单键命令为Ctrl+O。　　(3)Save:将当前设计保存,单键命令为Ctrl+S。　　(4)Close:关闭当前打开着的L－Edit设计,单键命令为Ctrl+W。　　(5)Quit:退出L－Edit,单键命令为Ctrl+Q。 　　2)编辑命令(Edit)　　(1)Undo:取消以前的编辑命令,单键命令为Ctrl+Z。　　(2)Cut:将当前选中的目标剪切下来,放入缓冲区paste中,单键命令为Ctrl+X。　　(3)Copy:将当前选中的目标复制到缓冲区paste中,单键命令为Ctrl+C。　　(4)Paste:将缓冲区paste中的内容恢复到屏幕中,单键命令为Ctrl+V。　　(5)Clear:删除当前所选中的目标,与Cut的区别是目标并不拷入缓冲区paste中,单键命令为Ctrl+B。　　(6)Duplicate:为当前的所选目标产生一个副本,单键命令为Ctrl+D。　　(7)SelectAll:在有效空间中选中所有目标,单键命令为Ctrl+A。 　　3.设计规则检查DRC　　1)DRC的设置　　设计规则检查可用Tools的下拉菜单中的DRCSetup命令项进行设置(或点击界面左上方第三个小图标。可以根据不同的设计规则进行调节。　　2)运行DRC　　完成布线后,应对版图作设计规则检查,其方法是点击Tools的下拉菜单中的运行DRC...命令项(或点击界面左上方第一个小图标,这时就会出现一个确定是否要将错误信息存入一个文件的对话框,点确定按钮后即可得到相关信息。 　　4.举例　　1)模拟电路　　如图5－1所示为一基本差动对电路,输入为UINA和UINB,单端输出为UOUT,Ub1为PMOS管提供电流偏置信号,从而为差动对提供电流源负载。Ub2为最下方的NMOS管提供电流偏置信号,从而为差动对提供恒定的尾电流源。 图5－1　以PMOS电流源为负载的差动对 　　如果采用CMOS工艺,则版图层次依次为:N阱——确定有源区——多晶(MOS管的栅)——P+扩散——N+扩散——引线孔刻蚀——金属连线。　　其详细步骤如下(工艺设计选择λ规则): 　　(1)在File下拉菜单中点击New,出现如图5－2所示的对话框,在File中选择Layout,在CopyTDBsetupfrom中选择已存在的版图文件,点击OK按钮后就会出现一个与选择的版图文件对应的设计界面。 图5－2　版图文件的选择 　　(2)在屏幕左侧的版图层次框中选择Nwell,点击BOX快捷键,在界面的相应位置画出一个矩形代表N阱。　　(3)在屏幕左侧的版图层次框中选择Active,在N阱中画两个矩形有源区,准备作PMOS管,在N阱外大于5λ处画三个有源区,准备作NMOS管,有源区的最小距离为3λ。(4)在屏幕左侧的版图层次框中选择Poly,在所有有源区中间画一个细的长方形,准备作MOS管的栅,最小宽度为2λ,栅在有源区的最小伸展为2λ。　　(5)在屏幕左侧的版图层次框中选择P－Select,在N阱中覆盖两个有源区,与有源区的最小间距为2λ,在阱外也画一块P扩散区,作NMOS管的衬底。 　　(6)在屏幕左侧的版图层次框中选择N－Select,在阱外覆盖所有NMOS的有源区,并且在阱外相应位置画一块N扩散区,作PMOS管的衬底。　　(7)在屏幕左侧的版图层次框中选择PolyContact,在栅上打接触孔,孔的边长为2λ;在屏幕左侧的版图层次框中选择ActiveContact,在有源区上打接触孔,孔的边长也为2λ,孔间距为2λ;在屏幕左侧的版图层次框中选择OriginLayer,在衬底上打接触孔,孔的