铌酸锂晶体横向电光调制试验 EDN CHINA电子的设计技术.docVIP

实验六 铌酸锂晶体横向电光调制实验 一、实验目的： 1、了解电光调制的基本原理及铌酸锂晶体横向调制的基本机构。 2、掌握铌酸锂电光调制器的调试方法并测量和计算晶体的特性参数。 二、实验仪器： 晶体电光调制器，电光调制电源，He-Ne激光器，双线示波器和万用表等。 三、实验原理： 1、激光调制 激光调制，就是以激光作载波，将要传输的信号加载于激光辐射的过程。分为内调制和外调制。内调制是加载调制信号在激光振荡器的过程中进行的，按调制信号的规律改变振荡参数，从而改变激光的输出特性并实现调制。外调制是指加载调制信号在激光形成之后进行，其方法是在激光器谐振腔外的电路上放置调制器，调制器上加调制信号电压，使调制器的物理特性（如电光调制效应等）发生相应的变化，当激光通过时即得到调制。其中强度调制是激光是使激光载波的电矢量平方比例于调制信号。 因为对光的调制比较容易实现，而且光接受器通常都是根据它所接收的光辐射功率而产生相应的电信号的，因此，强度调制是各种激光调制方法中用的比较多的一种。电光强度调制器是利用某些晶体的电光效应，在晶体上加调制信号电压后，通过晶体的激光束的振幅或相位就随着信号电压而变化。 2、铌酸锂晶体的一次电光效应 给晶体外加电场时，晶体的折射率将发生变化，这种现象成为电光效应。外电场E引起的折射率变化关系式为： ········ （1） 其中a、b为常数，是E=0时的折射率。由一次项引起的折射率变化的效应，称为一次电光效应或电光效应，也称普朗克（Pokell）效应。一次电光效应只存在于二十类无对称中心的晶体中。由二次项引起的折射率变化的效应，称为二次电光效应也称平方电光效应或克尔（Kerr）效应，二次电光效应则可能存在于任何物质中。一般一次电光效应要比二次电光效应显著的多。 电光效应在工程技术中有着广泛的应用。通常用折射率椭球的变化来分析。晶体在未加电场时的折射率椭球方程为： （2） 式中nx、ny、nz分别为三个主轴x、y、z上的主折射率。晶体在外加电场作用下折射率椭球发生变化，即椭球的三个主轴位置和长度都发生变化，变化的大小与外加电场E的大小和方向及晶体的性质又关。 铌酸锂晶体是负单轴晶体，即nx=ny=n0、nz＝ne 。它所属的三方晶系3m点群电光系数有四个，即γ22、γ13、γ33、γ51。由此可得铌酸锂晶体在外加电场后的折射率椭球方程为： （3） 通常情况下，铌酸锂晶体采用450－z切割，沿x轴或y轴加压，z轴方向通光的运用方式，当主轴x轴方向上外加电场时，有Ez=Ey=0, 晶体主轴x,y要发生旋转，（3）式变为：。因，故对应项可以忽略，经坐标变换，可求出三个感应主轴x’、y’、z’（仍在z方向上）上的主折射率变成（4）式所示。其中铌酸锂晶体变为双轴晶体，其折射率椭球z轴的方向和长度基本保持不变，而x,y截面由半径为n0变为椭圆，椭圆的长短轴方向x’ y’相对原来的x y轴旋转了450，转角的大小与外加电场的大小无关，而椭圆的长度nx，ny的大小与外加电场Ex成线性关系。 （4） （更详细的信息请参考附录一）。 当光沿铌酸锂晶体光轴z方向传播时，经过长度为的晶体后，由于晶体的横向电光效应（x-z），两个正交的偏震分量将产生位相差： （5） 其中 为晶体在x方向的横向尺寸，＝Ex×为加在晶体x方向两端面间的电压。通过晶体使光波两分量产生相位差（光程差/2）所需的电压，称为“半波电压”，以表示。由上式可得出铌酸锂晶体在以（x-z）方式运用时的半波电压表示式： （6） 还可以利用求一外加电压下所产生的相位差： (7) 由（5）式可以看出，铌酸锂晶体横向电光效应产生的位相差不仅与外加电压称正比，还与晶体长度比/有关系。因此，实际运用中，为了减小外加电压，通常使/有较大值，即晶体通常被加工成细长的扁长方体。 铌酸锂晶体的电光系数＝6.8×10－12m/V, 此处采用＝632.8nm光波，n0≈2.2956，ne≈2.2044。 3、电光调制原理 激光调制的方法很多，如机械调制，电光调制，声光调制，磁光调制和电源调制等。其中电光调制开关速度快，机构简单，因为，在激光调Q技术，混合型光学双稳器等方面运用广泛。 电光调制根据所使加的电场方向不同，可分为纵向调制和横向调制。利用纵向电光效应的调制，叫做纵向电光调制，利用横向电光调制效应的调制，叫做横向电光调制。本次实验中，我们只做铌酸锂晶体的横向调制实验。 （1）横向电光调制： 图一为典型的利用硫