一种适用于功率驱动电路bcd工艺开发及优化-development and optimization of bcd proces suitable for power drive circuit.docxVIP

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2018-06-03 发布于上海
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一种适用于功率驱动电路bcd工艺开发及优化-development and optimization of bcd proces suitable for power drive circuit

ABSTRACTAt last, we run the second experimental lots, and the test results met he original design specifications.Keywords: BCD process, integrated VDMOS, on-resistance, current capacityIII目录目录第一章引言 ................................................................................................................. 11.1 课题背景与研究意义 ............................................................................................ 11.2 概况及发展动态 .................................................................................................... 21.3 本文的工作 ............................................................................................................ 5第二章功率 VDMOS 元胞设计与初步优化72.1 集成功率 VDMOS 具体指标72.2 功率 VDMOS 元胞器件结构参数推导82.2.1 外延层参数的设计 ....................................................................................... 112.2.2 栅氧化层厚度的设计 ................................................................................... 122.2.3 P 型体区的设计122.3 VDMOS 导通电阻建模 162.3.1 接触电阻 Rcont172.3.2 N 型漏区电阻 Rn ?172.3.3 沟道电阻 Rch182.3.4 积累层电阻 Ra192.3.5 JFET 区电阻 Rj192.3.6 外延层漂移区电阻 Repi212.4 VDMOS 元胞多晶硅栅宽 a 优化 222.4.1 对元胞多晶硅栅宽 a 进行理论优化232.4.2 对元胞多晶硅栅宽 a 进行器件仿真优化262.4.3 对元胞多晶硅栅宽 a 进行工艺器件联合仿真282.5 具体工艺流程 ...................................................................................................... 312.6 本章小结 .............................................................................................................. 35第三章集成 VDMOS 阵列设计与优化 37IV目录3.1 集成 VDMOS 漏极引出电阻建模 373.1.1 N 型埋层电阻 Rnbl 373.1.2 N 型穿通引出电阻 Rsk 393.2 集成 VDMOS 阵列设计与优化 413.3 离散电阻分析 ...................................................................................................... 443.4 集成功率 VDMOS 整体设计 453.5 本章小结 .............................................................................................................. 46第四章第一次实验批结果分析及进一步优化 ....................................................... 474.1 第一实验批 33 行元胞模块测试结果 ................................................................ 47阈值电压 Vth 47源漏击穿电压 BVds 47栅源击穿电