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* Ⅱ型介电陶瓷 Ⅱ型介电陶瓷的介电常数很高(4000-6000)，故又称强介瓷。这类瓷主要是铁电瓷。铁电瓷的特点是介电常数随外加电场强度的变化而改变，即具有非线性。根据非线性强弱，可分为强非线性瓷和弱非线性瓷。弱非线性瓷主要用作电容器介质，而制造电压敏感电容器时，则采用强非线性瓷。 Ⅱ型介电陶瓷主要用于制造比体积很小、容量上限较大和用于低频电路的电容 器，用以隔直、滤波和稳压整流等。因此，对它的主要要求是介电常数大及其温度稳定性好，其次才是抗电强度高和介电损耗角正切小等。而一般规律是介电常数越大的强介瓷，其非线性越强，介电常数随温度的变化率也越大。  强介瓷的 介电常数与温度的关系 介电常数随温度的变化曲线上存在一个峰值，对应于此峰值即介电常数最高的温度，称为居里点Tc,为了解决介电常数大而又要求介电常数稳定的矛盾，必须将居里点调整到电容器的工作温度范围内，而且尽量压低介电常数随温度变化出现的峰值。实际中，即采用移峰和压峰的办法，以调整居里点，使介电常数随温度的变化曲线变得平坦些。 广义的居里点是指发生二级相变的温度。如铁电体从顺电相到铁电相的相变转变温度。在此温度下，伴随着晶相转变将产生介电常数、压电常数、弹性模量、比热、折射率等物理量变化。 强介瓷的配制原则是选用自发式极化很强的铁电陶瓷，然后加入移峰剂和压峰剂。例如典型的铁电陶瓷BaTi03的居里点120℃，通过添加降低居里点的移峰剂SrTi03和提高居里点的移峰PbTi03，居里点可在-180-+340℃的宽阔范围内调整，如图所示。 BaTi03的居里点与移峰剂(SrTi03、PbTi03)含量的关系 虽然移峰和压峰的作用机理目前尚不完全清楚，但是已经认识的，移峰剂的微观结构和离子半径须和铁电体基晶相似，而压峰剂的离子半径和其他方面则应与铁电体基晶有较大差别。 移峰剂可以是铁电体，也可以是非铁电体。但压峰剂一般都是非铁电体。 主要 成分 BaTiOa ? 主要 移峰剂 用于降低居里点的移峰剂：SrTi03、BaZr03、BaSn03、CaSn03 ? 用于提高居里点的移峰剂：PbTi03、Bi203·3Ti02 主要 压峰剂 CaTi03、MgTi03、MgZr03、MeSn03、NiSn03、Bi2(Ti03)3、Bi2(Sn03)3及稀土氧化物、氟化物 Ⅱ型BaTiO3介电陶瓷的添加剂 Ⅲ型介电陶瓷 Ⅲ型介电陶瓷又称半导体瓷，是在瓷体的表面上或瓷体中的晶粒表面上形成一层极薄的半导体层而制成小型大容量的电容器。因此，它又分为表面层型和晶界层型两类。 一 ，表面层型介电陶瓷 表面层型介电陶瓷又有阻挡层型和氧化层型两种。阻挡层型电容器是以金属电极与 半导体表面所形成的阻挡层为介质。阻挡层很薄，一般为3μm。氧化层电容器是以半导体瓷表面的氧化层作为介质。 阻挡层型电容器的绝缘电阻低、绝缘强度差，只能在很低电压下使用，而氧化层型的工作电压可达100V。实际中，表面层型介电陶瓷应用较少。  二，晶界层型介电陶瓷 在晶界层型介电陶瓷中，半导体晶粒具有良好的导电性，绝缘性的晶界层是工作介质。由于和晶粒比较，晶界层很薄(0．5－2μm)，整个瓷体因此显示出很高的介电常数。对这样的介电常数称为显介电常数。 1.晶界层型介电瓷的主要材料是钛酸钡或钛酸锶。在制造晶界层型瓷时，首先要使主体材料转变为半导体。为使BaTi03和SrTi03转变成半导率较高的半导体，在陶瓷中需加入施主杂质，常用的是三氧化二镝(Dy2O3)。除此之外，还需要在还原气氛中烧成，其温度为1 250—1 300℃。 2.半导体瓷的晶粒在烧成过程中应发育得比较充分，使其平均晶粒能够大于10~un。因为，只有在晶粒发育得比较充分的条件下，才能有效地突出边界层的容量，使陶瓷显示出更高的介电常数。在还原气氛中烧成，不仅可以使钛酸盐陶瓷半导体化，还能促进晶粒长大。  3.为使半导体瓷晶粒间形成良好的介质层，需要进行晶界绝缘化处理。常用的方法是在晶粒发育良好的半导体陶瓷表面上，涂敷Mn、Cu或Bi等的氧化物，并在氧化气氛下高温处理，使这些氧化物在半导体晶粒间均匀扩散，从而形成一层很薄的晶界绝缘层。  4.各类晶界层型陶瓷的介电常数的温度特性都优于相应组成的一般介电陶瓷。属于SrTi03—RM03(R为三价稀土元素，M为铁族过渡元素)二元系的HS－II，其介电常数随温度升高大致呈线性变化，因此，这种晶界层型瓷可用作热补偿瓷介质，以制造具有各种电容温