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电子技术习题库半导体器件基本放大电路集成运算放大器放大电路中的负反馈直流稳压电源晶闸管及其变流技术振荡电路半导体器件--习题选择题1.如图所示的电路中,已知稳压管VDz的稳定电压为7V,则回路中的电流等于_____. A.零B.10mA C.25mA D.5.75mA2.稳压管电路如图所示,两稳压管的稳压值Uz均为6.3V,正向导通电压UD=0.7V,其输出电压为_____ A. 6.3V B. 0.7V C. 7V D. 14V3.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于_____,而少数载流子的浓度则与____有很大关系. A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷4.如果晶体管的基极---发射极短路,则_____ A.管子学饱和 B.发射击结反 C.管子截止 D.集电结烧坏5.如改变理想三极管基极电压的极性,使发射结由正偏变为反偏,则集电极电流____ A.反向 B.中断 C.增大 D.不变6.稳压管稳压电路如图所示,其中VDZ1的稳压压值UZ1=7V,VDZ2的稳压值UZ2=3V,该电路的输出电压为______A. 0.7V B. 1.4V C. 3V D. 7V7.测得三极管IB=30uA时IC=2.4mA,而IB=40uA时,Ic=3mA,则该管的交流电流放大系数为_____A. 80 B. 60 C. 75 D. 1008.三极管的ICEO在,说明其_____A.工作电流大B.击穿电压高C.寿命长D.热稳定性差9.三极管是一种___的半导体器件.A.电压控制B.电流控制C.既是电压又是电流控制10.三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是____A.发射结和集电结同时正偏B.发射结和集电结同时反偏C.集电结正偏发射结反偏D.集电反偏发射结正偏11.放大电路的直流负载是指___条件下的交流负载线.A.RL=0 B.RL=∞ C.RL=RC12.固定偏置共射极放大电路缺点是___A.静态工作点不稳定B.输出波形失真C.电压放大倍数小13.共射极放大电路的输入信号加在三极管的___之间A.基极和射极B.基极和集电极C.射极和集电极14.共射极放大电路的输出信号加在三极管的___之间A.基极和射极B.基极和集电极C.射极和集电极15.三极管的伏安特性是指它的___A.输入特性B.输出特性C.输入特性和输出特性16.一个三极管若放弃集电极不用，那么基极和发射极之间可当作____器件使用。A.晶体三极管B.晶体二极管C.固定电阻D.大容量电容17.工作在放大区的三极管，当IB从20μA增大至40μA时，IC从1mA变为2mA，其β值约为______。 A.50 B.100 C.500 D.100018.一个三极管放大电路，IB =60μA，IC = 2mA,β值50，这个三极管在____状态。 A.放大B.饱和C.截止D.击穿19.一个单管放大器若RC（集电极负载电阻）两端电压约等于电源电压，则该放大器的三极管处于______状态。 A.截止B.饱和C.放大D.击穿20.一个单管放大器电源电压6V，发射结正向偏置后，若Vbe等于电源电压则该放大器的三极管的发射结内部可能处于____的状态A.放大B.开路C.截止D.击穿21.一个单管放大器电源电压6V，发射结正向偏置后，若Vcb等于电源电压的1/2，则该放大器的三极管可能处于____状态。A.放大B.饱和C.截止D.击穿22.一个单管放大器电源电压6V，发射结正向偏置后，若Vc约为0.6V，Ve为0.4V,若Vb为1.1V,则该放大器的三极管可能处于____状态。A.放大B.饱和C.截止D.击穿填空题1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为_____，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _____，导通后在较大电流下的正向压降约为_____。2、二极管的正向电阻____ ；反向电阻___。3、二极管的最主要特性是___________。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_____漂移电流，耗尽层_____。4、二极管最主要的电特性是__________，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个______。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为_____电子技术。6、PN结反向偏置时，PN结的内电场_____。PN具有