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* （Cell工艺简介） * Cell工艺简介 技术部Cell科：钱志刚 2007年12月 目 录 一、Cell工程概况 二、前工程工艺 三、中工程工艺 四、后工程工艺 五、总结(合格率) 屏（Panel）的结构 液晶 ＣＦ基板 Ｓｅａｌ材 配向膜 Ａｒｒａｙ基板 TFT ITO Ｓｐａｃｅｒ Seal内 Spacer 色层 彩色显示的原理：R G B混色 色彩：CF色层控制：TFT开关 截面 TFT位置 0.7 mm700 μm 3.5~4 μm盒厚Cell Gap 一、 Cell工程概况 正视图 俯视图 玻璃基板 配向膜 液晶分子排列方式（TN） TFT基板 CF基板 屏（Panel） 什么是CELL（成盒）工程？ 15’屏 26’屏 基板（Glass Substrate） CELL工程 把基板变为屏的过程 Cell工程按功能分为前、中、后三部分： ●前工程： 洗净； 配向膜印刷、固化； 摩擦； ●中工程： Seal涂布；Spacer散布； 液晶滴下；真空贴合； UV硬化、本硬化； ●后工程 切断、研磨、洗净； 屏洗净、贴偏光板； Cell工艺流程 CF基板 TFT基板 投入洗净 投入洗净 配向膜印刷 配向膜印刷 配向膜烧成 配向膜烧成 摩擦 摩擦后洗净 Seal涂布 及Ag涂布 Spacer散布 CF基板 TFT基板 Spacer固着 真空贴合 液晶滴下 UV硬化 本硬化 个片切断 屏洗净 研磨、洗净 偏光板贴付 自动除泡 P检 前工程 中工程 后工程 配向线 ODF线 切断线 偏贴线 Cell Shop Layout Array Shop Stocker C Stocker A Stocker B 配向1＃线 配向2＃线 摩擦1＃～6＃ ODF 1＃线 ODF 2＃线 ODF 3＃线 摩擦7＃～10＃ 自动除泡 P检 切断线 切断线 偏贴线 偏贴线 高温保管 激光修复 60K 33K 60K 30K 30K 33K 33K 11 Lot/Line/天, 86K/月 产能、品种限制因素： 搬送能力、Buffer 工夹具限制 前：印刷版、摩擦辊轮 中：Seal注射器、液晶Pump、UV Mask 后：研磨台面 二、 前工程工艺 (配向) 异物不良 表面接触较 Particle数 IPA 纯水 采用IPA,背面Brush,CJ,HM,等清洗基板，主要去除配向膜碎屑及污染物 摩擦后洗净 摩擦不均 印刷不均 异物不良 可能发生的不良 摩擦强度及其均一性 温度及分布均一 膜厚及其均一性 表面接触较 Particle数 重点控制的 工艺条件 摩擦布 配向材 印刷版 稀释显像液 纯水 涉及材料或药品 通过摩擦辊轮对基板表面进行摩擦处理，时配向膜具有配向能力 通过加热基板到一定温度，使 采用凸版印刷的方式，把配向膜溶液均匀涂布到基板表面 采用Brush,CJ,HM, EUV照射等清洗基板，去除颗粒（Particle）及污染物 主要方法原理 摩擦 配向膜烧成 配向膜印刷 投入前洗净 工序 作用同上，但是EUV的清洗效果更好 EUV 可以用于除去膜状有机物，并且可以提高成膜的涂布性 低压水银灯UV 干式清洗 利用气液混合方式除去中小粒径的异物粒子 Hyper Mix 用于除去小粒径（1μm以下）的异物粒子 超声波清洗 用于去除中等粒径（1-3μm）的异物粒子 高压Jet 用于去除强固吸附的大粒子(３μｍ以上)，但不适于微小粒子的去除，可与化学清洗组合使用 滚刷清洗 （Brush） 物理清洗 用于上述药液的去除，但附着粒子去除不充分 纯水清洗 多量有机污染物的去除，需根据污染物选择溶剂 药液清洗 化学清洗 湿式清洗 用途和特征 洗净方法的类型 ＣＥＬＬ深度 10μm 40μm CELL个数 160,000个/平方inch ＣＥＬＬ 凸版印刷方式原理示意： 印刷版表面状态： 印刷版 版胴 Ｓｃｒａｐｅｒ （PET树脂） ＰＩ Ｄｉｓｐｅｎｓｅｒ Aniｌox Roll 基板 印刷机台 Anilox Roll表面状态： 玻璃基板 摩擦基台 摩擦布 摩擦处理过程示意： US Cleaner US Cleaner Rubbing Roll 配向材分子 PI 摩擦前 摩擦后 摩擦方向 三、 中工程工艺 (ODF) 液晶泄漏 配向异常 UV照射量 温度曲线 通过UV照射使Seal材固化； 通过加热方式使Sea材完全固化 UV硬化