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SiC半导体材料及其性质
SiC半导体材料是自第1代元素半导体材料
(Si和Ge)和第2代化合物半导体材料(GaAs、
GaP、InP等)之后发展起来的第3代宽带隙
半导体材料。这类材料主要包括SiC、
GaN(氮化镓) 、AlN(氮化铝) 、ZnSe(硒化
锌) ，以及金刚石薄膜等．
SiC材料由于具有宽带隙、高临界击穿电
场、高热导率和高载流子饱和漂移速度等
优点，在高温、高频、大功率、光电子及
抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。目前
已在SiC晶体生长技术、器件工艺、SiC集
成电路制造等方面取得了突破，并应用于
军用
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