Yole_Power_GaN_Market_Technology_Report_Sample Yole GaN功率电子器件市场报告.pdfVIP

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2018-05-15 发布于河南
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Yole_Power_GaN_Market_Technology_Report_Sample Yole GaN功率电子器件市场报告.pdf

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Yole_Power_GaN_Market_Technology_Report_Sample Yole GaN功率电子器件市场报告

Power GaN T N GaN technologies for power electronic applications: E M Industry and market status forecasts. E P 2012 edition P O AZZURRO L E V E D E L EpiGaN FBH EPC Corp. O FBH IMEC Y Dow corning 75, cours Emile ZOLA, F-69100 Villeurbanne, France Tel: +33 472 83 01 80 - Fax: +33 472 83 01 83 © 2012 Web: http://www.yole.fr Copyrights © Yole Développement SA. All rights reserved. Power GaN: a Question of Business Model… • Power device makers usually buy polished Silicon wafers, conduct the epi (or buy Si epi-wafers) if needed (FZ thin wafer doesn’t require epitaxy) then process the devices. This model is the same for SiC technology. • For those who plan to enter in the GaN field, 2 scenario could occur: • Some may probably not integrate MOCVD GaN epitaxy. They will buy GaN epiwafers and process it in the existing Front-End lines, as they use to do with Silicon substrates (or SiC) T • Some will try to fully integrate the Ga