功率半导体新宠:SiC和GaN.docVIP

  1. 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
  2. 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  3. 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
功率半导体新宠:SiC和GaN 上网日期: 2010年09月02日 已有[ 3 ]个评论? ?打印版 ?发送查询 订阅 关键字: 功率半导体? SiC? GaN? 传统的功率半导体器件大多都是以Si为衬底材料。现在,这种功率半导体材料正受到来自新一代材料——GaN(氮化镓)及SiC(碳化硅)的冲击。这两种材料特性优于现有材料硅(Si)而备受电力公司、汽车厂商及电机厂商等的关注。这是因为,若用GaN及SiC等化合物半导体代替Si,或许Si功率半导体器件(以下简称:功率器件)无法实现的高效率及小型化将成为可能。 目前的功率器件利用的是Si二极管、MOSFET及IGBT(绝缘栅双极晶体管)等晶

文档评论(0)

iris + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档