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功率半导体新宠:SiC和GaN
上网日期: 2010年09月02日 已有[ 3 ]个评论? ?打印版 ?发送查询 订阅
关键字: 功率半导体? SiC? GaN?
传统的功率半导体器件大多都是以Si为衬底材料。现在,这种功率半导体材料正受到来自新一代材料——GaN(氮化镓)及SiC(碳化硅)的冲击。这两种材料特性优于现有材料硅(Si)而备受电力公司、汽车厂商及电机厂商等的关注。这是因为,若用GaN及SiC等化合物半导体代替Si,或许Si功率半导体器件(以下简称:功率器件)无法实现的高效率及小型化将成为可能。
目前的功率器件利用的是Si二极管、MOSFET及IGBT(绝缘栅双极晶体管)等晶
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