放大电路的频率特性PPT培训课件.pptVIP

将输入回路电容合并 · · · · · · ? · · · · · · ? 图中 在输出回路 · · · · 故 · · · · · · · · · ? 在输入回路 · · · · · · · · · ? 得低频区放大电路电压放大倍数 由 · · · · · · · 上式中，令 、 分别为输入、输出回路的时间常数。 · · · · · · ? · · · 令 · · · · · 中频电压放大倍数 式 中 · · 当C2＞＞C1 式中 为由C1引起的附加相移。 · · · · · · · · · ? 即C2的影响可以忽略时 知当 时 由 · · · · 故 为仅考虑 时放大电路的下限截止频率 当C2C1时 · · · 式中 为由C2引起的附加相移。 · · · · · · ? 即C1的影响可以忽略时 知当 时 同理由 · · · · 故 为仅考虑 时放大电路的下限截止频率 故 旁路电容是影响电路低频性能的主要元件。 一般情况下，由于 即 旁路电容折算到输入端的等效电容很小。 3．高频区的频率响应和上限截止频率 + _ T + _ + + + + _ · · · 高频等效电路 对 密勒等效 . . + e + + _ . _ + _ c _ . . . . · + _ T + _ + + + + _ · · 对输入回路简化、等效 Ci=CM+Cbe + + + _ . _ + _ c _ e ? . . . . . . . + e + + _ _ + _ c _ . . . . . . 戴维南等效 . . e + + _ _ + _ c ? . . . . . + e + + _ _ + _ c _ . . . . . . 对输出回路简化、等效 e + + _ _ + _ c ? . . . . e + + _ _ + _ c ? . . . . 将电流源转换为电压源 e + + _ _ + _ c ? . . . . ? e + + _ _ + _ c + _ . . . . 由图可知 · · · · · · ? e + + _ _ + _ c + _ . . . . 由图可知 ˙ ˙ ˙ ˙ ˙ 因 很小 ˙ ˙ · · · · ˙ 由 画出求?的等效电路 e c + _ ˙ ˙ + _ ˙ + ˙ _ ˙ ˙ · · · · ˙ ˙ 由以上各式得 ˙ 即 令 或 得 ˙ 由 ˙ 得 的幅频特性 ˙ ˙ 相频特性 a) 画幅频特性曲线 ˙ 将上式表示为 ˙ 在 坐标中表示一条直线 ˙ 式中 项 0 ˙ ˙ 当 时 当 时 ˙ 对于式 中的项 在坐标系中表示横轴 在坐标系中表示斜率为-20dB/十倍频的一条直线 ˙ 即式 0 ˙ 的图形是由横轴与斜率为-20dB/十倍频的直线合成的曲线。 的图形是由直线 综上所述 ˙ ˙ ˙ 曲线 合成的 0 ˙ 0 ˙ 0 ˙ 波特图 当 时 即实际值比 小3dB ˙ 0 ˙ 实际的幅频曲线 fβ称为晶体管的共射极截止频率 由 可知 ˙ 当f=fβ时 ˙ b) 画相频特性曲线 由相频特性 知 当 ff? (实际只要f0.1f? )时 当 ff? (实际只要f10f? )时 当 f=f? 时 实际上当f=0.1f? 或f=10 f?时 或 由以上讨论可画出 的相频特性 ˙ (2) 晶体管特征频率fT 当f=fT时， ˙ 由于 定义 故 fT是衡量晶体管高频特性的最常用指标 由 得 可见f?和fT都与晶体管的静态工作点有关 （3）晶体管电流放大倍数 ?= ? ( f ) · 可以证明 式中 ?0——晶体管共基极低频电流放大系数 f ?——晶体管共基极截止频率 · 得晶体管共基极截止频率 由 与 的关系 通常将 的晶体管称为高频管 将 的晶体管称为低频管 将 代入上式 ˙ 晶体管共基极截止频率 特征频率 fβ、fT和f a之间的关系为 (4) fβ、fT和f a的关系 3.3 放大电路的频率响应 单管共射极放大电路 电路中存在的电容： a. 耦合电容、旁路电容 b. 结电容、极间电容、分布电容及负载电容等 + _ T + _ + + + + _ · · · 一、单管共射极放大电路的频率响应 不同电容对电路性能的影响 a. 耦合电容、旁路电容较大，主要影响电路的低频性能。 b. 结电容、极间电容及分布电容等很小，主要影响电路的高频性能