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【】 β，其值為: (A)1 (B)2 (C)0 (D)3。 試求圖二中之電流I為: (A)1mA (B)2mA (C)3mA (D)0mA。 在741型式op amp中第一級能提供的最大電流為19μA，而補償電容為30pF。求迴轉率為: (A)0.5V/μs (B)0.4V/μs (C)0.633V/μs (D)0.533V/μs。 下列敘述何者錯誤? (A)半導體材料中，若處於熱平衡下，其本質濃度為定值 (B)P型半導體是利用本質矽中，加入受體雜質，而N型半導體是利用本質矽加入施體雜質 (C)質量作用定律之關係式為(於熱平衡下) (D)若N型半導體中，雜質濃度為，則其自由電子濃度。 已知矽中摻入之施體原子濃度，受體原子濃度，於時，則在此溫度下，自由電子濃度 (A) (B) (C) (D) 。 圖一 圖二 承第6題，其電洞濃度 (A) (B) (C) (D) 。 下列敘述何者錯誤? (A)順偏電壓下，空乏區電容值越大，而空乏區寬度W越小 (B)空乏區主要落在高摻雜區 (C)逆偏下，PN接面中之電容效應主要為空乏區電容 (D)逆偏下，二極體主要電流成分為遷移電流。 反向偏壓二極體常作為電壓控制可變電容使用。已知某步級接面二極體在4V時，其空乏電容值為4PF，則在反向偏壓提高0.5V時，其電容值變為 (A)3.77 (B)4.77 (C)1.77 (D)2.77。 10A電流加到某二極體上，開始時，經過一段時間，由於消耗在二極體上之功率使其溫度上升，降為600mV，則此時接面溫度上升多少度 (A)30 (B)40 (C)50 (D)60。 一個增強MOSFET，，，。將此操作在，求時汲極電流為何: (A)0.416mA (B)0.5mA (C)0.6mA (D)0.8mA。 續第11題，時，汲極電流為何: (A)0.28mA (B)0.48mA (C)0.58mA (D)0.68mA。 一個IC NMOS電晶體W=100μm，L=100μm ，，，，，。計算K值為何: (A)0.2 (B) 0.3 (C) 0.1 (D) 0.4。 續第13題，當時，的為何: (A)1.7V (B)2V (C)1.5V (D)3V。 續第13題，當，時，=0，則為何: (A)0.42mA (B)0.34mA (C)0.56mA (D)0.28mA。 考慮圖三，其中是由接到9V電源的分壓器而得，假設電晶體的β很大(即忽略基極電流)，設計分壓器使得，並且分壓器電流為0.2mA。則為多少: (A)50KΩ (B)60KΩ(C)30KΩ (D)70KΩ。 圖三 續第16題，為多少: (A)15KΩ (B)20KΩ (C)30KΩ (D)25KΩ。 續第16題，現在如果BJT的β=100，分析此電路，求其集極電流: (A)2.07mA (B)3.12mA (C)1.28mA (D)4.3mA。 續第16題，此時集極電壓為何: (A)2.9V (B)6.9V (C)4.3V (D)5.8V。 在圖四中，是平均值為零的小正弦信號。求為多少(假設β=50): (A)15.25KΩ (B)12.75KΩ (C)17.75KΩ (D)16.75KΩ。 圖四 續第20題，其增益又是多少: (A)-11V/V (B)-15V/V (C)-8V/V (D)-22V/V。 續第20題，若信號的振幅限定為5mV，則輸入的最大信號為何: (A)17.84mV (B)13.23mV (C)16.87mV (D)17.92mV。 續第22題，所得的輸出信號為何: (A)-186mV (B)-196mV (C)-155mV (D)-174mV。 圖五中，電路的NMOS電晶體，且。求之閘極寬度以使電壓、電流達到圖上所標示之值: (A)200μm (B)50μm (C)150μm (D)300μm。 圖五 續第24題，求之閘極寬度以使電壓、電流達到圖上所標示之值 (A)200μm (B)50μm (C)150μm (D)300μm。 如圖所示，電阻器1分鐘產生多少熱量 ? (A) 7200 (B) 5000 (C) 720 (D) 500 卡。 如圖所示，求E3 = (A) 100 (B) 80 (C) 60(D) 40 V。 如圖所示之電路,由4Ω電阻所消耗之功率為多少瓦特? (A) 32 (B) 16 (C) 8 (D) 4。如圖所示之電橋電路，設、、，當電橋平衡則 (A) 100 (B) 200 (C) 300(D) 600 Ω。 圖 圖 圖 圖 圖