BLF6G20LS-180RN11;BLF6G20-180RN,112;中文规格书,Datasheet资料46.pdf

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BLF6G20LS-180RN11;BLF6G20-180RN,112;中文规格书,Datasheet资料46

BLF6G20-180RN; BLF6G20LS-180RN Power LDMOS transistor Rev. 01 — 17 November 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 180 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 1800 MHz to 2000 MHz. Table 1. Typical performance Typical RF performance at Tcase = 25 °C in a class-AB production test circuit. Mode of operation f VDS PL(AV) Gp ηD IMD3 ACPR (MHz) (V) (W) (dB) (%) (dBc) (dBc) 2-carrier WCDMA 1930 to 1990 30 40 17.2 27 −38[1] −41[1] [1] Test signal: 3GPP; test model 1; 64 DPCH; PAR = 7 dB at 0.01 % probability on CCDF per carrier; carrier spacing 10 MHz. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken during transport and handling. 1.2 Features Typical 2-carrier WCDMA performance at frequencies of 1930 MHz and 1990 MHz, a supply voltage of 30 V and an IDq of 1400 mA: Average output power = 40 W Power gain = 17.2 dB Efficiency = 27 % IMD3 = −41 dBc ACPR = −38 dBc Easy power control

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