电子电路与系统基础 I （清华大学）2011春季期末讲解.pdfVIP

下载本文档

15
0
约3.22万字
约 51页
2018-05-13 发布于浙江
举报
版权申诉

电子电路与系统基础 I （清华大学）2011春季期末讲解.pdf

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

《电子电路与系统基础I》春季学期期末考试试题春季学期期末考试试题魏琦魏琦伟清楼804 weiqi@tsinghua.edu.cn 11、填空题填空题（（4343分分）） a)填表列写填表列写NMOSFET三个工作区的伏安特性方程三个工作区的伏安特性方程，这里可这里可不考虑厄利电压的影响： 2 11、填空题填空题 b)已知某知某NMOSFET工作在恒流区作在恒流区，其栅源控其栅源控制电压为，漏极电流为，厄利电压为，则 2I D 0 恒流区跨导的表达式为（g m V V ），跨导 GS 0 TH V E rr 器输出电阻器输出电阻的表达式为的表达式为（（）。）。 dds I D 0 V 已知NMOSFET的阈值电压为。 TH 3 11、填空题填空题 C)双极型晶体管极型晶体管（BJT）名称中的名称中的双极极（Bippolar ）是什么含义？ BJT晶体管中导电的载流子有两种，空穴（（正正））和自由电子和自由电子（（负负）） 4 11、填空题填空题 I d) 已知知BJT基极输基极输入电流为电流为，则发射结交则发射结交 B 0 v