地电阻影像剖面法对非均质地下实体之模拟分析.PDF

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地电阻影像剖面法对非均质地下实体之模拟分析

技術學刊 第二十一卷 第四期 民國九十五年 369 Journal of Technology, Vol. 21, No. 4, pp. 369-382 (2006) 地電阻影像剖面法對非均質地下實體之模擬分析 梅興泰 1 鄭富書 2 蔡道賜 3 1 財團法人台灣營建研究院 2 國立台灣大學土木工程學系 3 三合技術工程有限公司 摘 要 地電阻影像剖面法,簡稱 RIP(resistivity image profiling, RIP) ,當施作遇到 地形變化劇烈或地下物為非均質狀態,施測電極排列的選用以及施測後,對其 視電阻率曲線的初步判讀,將會影響到整體資料判讀上的正確性。由於在傳統 軟體正算分析過程中,無法對地表上的地形效應算出視電阻率。本研究提出一 室內簡單快速之實體模型配置,利用 Wenner 電極排列法作電阻量測,將傳統 砂箱 3-D 試驗對於模型材料電阻率及非均質性等問題利用修正幾何因子的轉 換,簡化成 2-D 方式處理。並利用偏差率的觀念,分析視電阻率曲線配合 Loke (1999)之正算(RES2DMOD)與反算 (RES2DINV)的分析軟體,得出在地形效應 下非均質之反算剖面,均獲致不錯的結果。 關鍵詞:地電阻影像剖面法、地形效應、視電阻率曲線、修正幾何因子、偏差率。 ANALYSIS OF NON-HOMOGENEOUS PHYSICAL MODEL SIMULATED FOR RESISTIVITY TOMOGRAPHY Hsing-Tai Mei 1 Fu-Shu Jeng 2 Dao-Ci Cai 3 1 Taiwan Construction Research Institute Taipei, Taiwan 231, R.O.C. 2 Department of Civil Engineering National Taiwan University Taipei, Taiwan106, R.O.C. 3 San-Ho Technology and Engineering compory., Ltd. Taipei, Taiwan 242, R.O.C. Key Words: resistivity image profiling, topographic effect, apparent resis-

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