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2018-04-19 发布于河南
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基于DOE优化设计抛光工艺参数.pdf

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基于DOE优化设计抛光工艺参数

Process Technique and Materials DOE 卢海参, 何良恩, 刘建刚 ( 宁波立立电子股份有限公司, 浙江宁波315800) : 适宜的抛光工艺参数对Si 片表面平整度 TTVTIRSTIR 等参数起到至关重要的作用介绍了化学机抛光 (CMP) 有效实现Si 片全局和局部平坦化的方法和设施, 指出并说明 CMP 是一种化学作用和机作用相结合的技术, 给出了其影响因素利用 DOE ( design of experiment) 实验方法, 结合实际生产条件, 获得并验证了最优化的生产工艺参数, 改善了Si 片表面平整度 : 化学机抛光; 硅片; 实验设计 : T 304 : A : 1003353X (2008) Optimal Process Parameter Design of CMP Based on DOE Lu Haishen, He Liang en, Liu Jiangang ( QL Electronics Co. , Ltd . , Ningbo 315800, China) Abstract: Appropriate process conditions of polishing are extremely important for surface flatness of silicon wafer ( including TTV, TIR, STIR ) . How effectively realizing local and global planarization of siliconwafer chemicalmechanical polishing ( CMP) was introduced. It was pointed out and discussed that CMP is a combination of chemical and mechanical technologies. The effect factors on CMP was given. With practical manufacture conditions and DOE ( design of experiment) , the optimal process parameters are obtained and validated for improving the surface flatness of silicon wafer. Key words: CMP; Si wafer; DOE EEACC: 2550E ; Si 0 引言 [ 3] , Si (CMP) , , , , , , CMP , DOE [12] , , [ 4] CMP , , , Si DOE , Si , , 150 mm ( 111) Si , ; ,