真空概论-SptEvo复习课程.pptVIP

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真空概論;課 程 內 容 目 錄;真空(Vacuum);真空(Vacuum)的定義;1標準大氣壓ATM = 760 mm Hg = 760 Torr = 1.013*10-5 Pa = 1013 mbar = 14.7 Psi;1.粗略真空:(Rough Vacuum) 壓力範圍:760~1 Torr 氣流型態:黏滯流 2.中度真空:(Medium Vacuum) 壓力範圍:1~10-3 Torr 氣流型態:過渡流 3.高真空:(High Vacuum) 壓力範圍:10-3~10-7 Torr 氣流型態:分子流 4.超高真空:(Ultra-High Vacuum) 壓力範圍:10-7 Torr以下 氣流型態:分子流 ;黏滯流:氣體分子之間有碰撞,且受周圍氣體分子的限制,存有摩擦力(黏滯性),氣流的方向與分子運動方向一致。 過渡流:一部份黏滯流,一部份分子流。 分子流:氣體分子完全任意自由運動,分子間為彈性碰撞。;電漿(Plasma)的原理;電漿的種類;RF電漿的原理;O2電漿處理;Ar電漿處理;電漿處理的目的;壓力(真空度):10-2 ~ 1 Torr 通入氣體種類及通量 功率 處理時間 抽氣時間;濺鍍(Sputtering); ;氣體壓力 製程氣體通量 鍍膜功率 鍍膜時間使用靶數; 壓力高→腔體內部氣體粒子少 →撞擊靶材的Ar+變少 壓力低→腔體內部氣體粒子多→Ar+變多 →Ar+到達靶材前碰撞其他粒子機率變大 →靶原子到達基板前與氣體碰撞的機率變大;通入太少 →無法維持電漿 通入太多 →未參與碰撞之Ar變成殘餘氣體 →增加pump之負荷 →與靶原子一起沉積在基板上的機率變大 須視鍍膜壓力來設定通入量;鍍膜功率;鍍膜時間使用靶數;磁控濺鍍;磁控濺鍍的特性;蒸鍍(Evaporation);蒸鍍(Evaporation)原理;熱蒸發蒸鍍法(一);熱蒸發蒸鍍法(二);蒸鍍源種類;蒸鍍源之選擇;蒸鍍參數

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