导电膜氧化锌镓于可挠式基板之研究-yoke.pdfVIP

導電膜氧化鋅鎵於可撓式基板之研究 Study of ZnO:Ga conducting oxide thin films deposited on flexible substrate . 許春耀 1 施議訓 2 朱政彥 3 曾治豪 4 Chun-Yao Hsu1 Yih-Shiun.Shih2 Cheng-Yen Chu3 Chih-Hao Tsang 1 龍華科技大學機械工程學系 副教授 2 國立台北科技大學機械工程學系 助理教授 3 國立交通大學機械工程學系 博士班 4 龍華科技大學機械工程學系 研究生 resistively of GZO films is found to be about 摘要 8.627×10-4 Ω-cm, the transmittance in the 本研究的目的為利用 RF磁控濺鍍 (RF visible range was about 90 %. Magnetron Sputtering) ，在純氬氣濺鍍氣氛 Keywords ：Zinc oxide; Transparent conductive 中沈積氧化鋅鎵 (ZnO:Ga ；97/3 wt% ；純度 oxide; Flexible; Grey relational; Magnetron 99.995% ，簡稱GZO) 薄膜於可撓性塑膠基板 sputtering (PET ，polyethylene terephthalate ；聚乙烯對 苯二甲酸酯)上，形成用途廣泛的透明導電 1. 前言 膜。應用田口實驗規劃 (Taguchi Quality 透明導電膜(transparent conducting films) Design)及變異數分析，觀察不同濺鍍參數包 具有良好的導電性與高的可見光穿透率，廣泛 括：射頻功率、製程壓力、鍍膜時間、基板 應用於許多光電產品，及各類型的顯示器，銦 溫度、退火溫度，對 GZO 透明導電膜的影 錫氧化物 (Indium tin oxide ；ITO) 薄膜為目前透 響。求得本系統最佳鍍膜參數組合，所沉積 明導電膜中應用最廣泛。本研究探討 ZnO 透 之氧化鋅鎵透明導電膜，其電阻率為 明導電膜，其主要因素為 : (a)Zn 元素取得容易 8.627×10-4Ω-cm ，可見光穿透率約為90% 。 且價格便宜(b)非晶型結構