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低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响!-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中
氧沉淀的影响!
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崔 灿 马向阳 杨德仁
!）（浙江理工大学物理系，杭州 $!%%!）
）（浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 $!%%’ ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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研究了直拉硅片从不同的温度线性升温（ ）到 ，然后在 退火 过程中的氧沉淀行为 结果
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表明， 对硅片中氧沉淀的形成有明显的促进作用，且起始温度越低促进作用越强 这是因为在 处
*+,-./0 5 *+,-./0
理中，低温（ — ）热处理阶段氧的扩散速率显著增强，促进了氧沉淀核心的形成，且较低的 升温速
(1% 31%2 *+,-./0
率有利于氧沉淀核心的稳定和继续长大5 进一步的实验结果还表明，低起始温度的*+,-./0 处理可应用于硅片的
内吸杂工艺，能促进氧沉淀的生成提高硅片的内吸杂能力，减少热预算，但不适用于魔幻洁净区（ ）工艺
678 5
关键词：直拉硅，氧沉淀，退火
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方法来促进 硅中氧沉淀的生成，如在 硅中掺
98 98
［，］
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入氮和锗等杂质 ，通过快速热处理（ ）引入高
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