ME8325适用范围.PDFVIP

应用指导书 样品名：ME8325 版本号：V1.0 编 制：Yan 日 期：2015-07-09 地址：上海市闵行区宜山路1618号E座6楼B3 021808 Page 1 of 9 一、 芯片基本介绍 ME8325 是一种高性能、高效率、低EMI、集成QR(准谐振模式)和PSR （原边反馈）的离线式小功率 控制器。控制器可以满足EPS 6 级能源标准。10w 充电器可以支持“No-snubber No-Y”设计。芯片内置的 线损补偿,可以提供良好CV 输出。芯片内置650V 高压功率管，最高可做到12W。 主要特点如下： 应用范围 ● 内置高压功率管，外围原件少 ●电池充电器为手机、无绳电话、PDA、 ● 轻松实现能源之星6级能效要求 数码相机等 ● QR模式PSR控制器，具有高效率、低EMI ●取代线性变压器及RCC电路 ● 10W设计以内的充电器支持“No-Snubber “No-Y” ●小功率适配器 ● 可实现100mW待机功耗 ●AC / DC LED照明 ● ±5%的CC和CV精度 ● 带线损补偿 ● 内置的前沿消隐 ● 逐周期电流限制 ● 内置软启动 ● 良好的保护和自恢复功能 ﹡VDD 过/欠电压保护 ﹡驱动门电压嵌位 ﹡输出电压过压保护 ﹡ VDD 嵌位 ﹡输出过流保护 ﹡引脚悬浮保护 ● DIP-7 封装 二、管脚定义 脚 符号 功能 描述 1 VDD 芯片电源 此引脚外接一个电解电容。（推荐6.8uF） 2 INV 电压反馈 输出电压反馈输入端。 3 COMP 线损补偿 连接一个电容到地。（推荐33nF） 4 CS 电流检测 变压器原边电流检测脚。 高压 MOSFET 的漏极引脚，该引脚连接到变压器原 5.6 DRAIN MOSFET漏极 边。 7 GND 地 芯片地。 地址：上海市闵行区宜山路1618号E座6楼B3 021808 Page 2 of 9 三、功能框图 四、各脚的功能以及调试注意事项： 1.VCC (1脚)： ME8325 的启动电流低至2uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，减小待机功耗。启动阈 值电压15.5V 关断阈值电压9.5V，OVP电压为33V。建议在调试计算中VCC辅助绕组电压 一般设置在20V左右， VCC电解推荐为6.8uF。 2. INV (2脚)： FB反馈阈值电压为2V。画PCB时注意尽量远离功率地线。 该脚还有线损补偿功能，FB外接电阻大（比例不变），输出补偿多，反之小。 3.COMP（3脚）： 外接低通滤波电容，用于线损补偿 推荐使用33nF。 4.CS（4脚）原边电流采样端： CS端是原边电流采样端，峰值电流检测阈值是1V,在这之后会有一个前沿消隐LEB， 当MOS管打开时，过冲电流会产生在采样电阻上。为了避免开关误操作，人为产生一个 500ns 的空白期，关闭内部电流采样比较器，使得MOS管不会被误操作而关闭。这个脚外 接RC电路后线路更稳定（参考应用电路）。 地址：上海市闵行区宜山路1618号E座6楼B3 021808 Page 3 of 9 5. DRAIN（5，6脚）：