第三十九讲双极晶体管续.PDFVIP

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2018-03-29 发布于天津
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第三十九讲双极晶体管续

2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 第三十九讲双极晶体管（续） 12 6 2002 月，内容： 1. 在BJT工作中的非理想效应（续） 2. BJT设计的发展 3. 在CMOS中的双极问题通知： 12 20 1 30 4 30PM Walker #25 3 MOSFET BJT 期终考试：月，星期五。：－：在。包含整个课程，但主要强调－内容（和）。带计算器。开卷。阅读作业 del Alamo Ch. 11 §11.5 11.5.4 ( ) ，（）要求保证质量 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 主要问题  为什么BJT在高的集电极电流时性能会衰减？  从它一开始集成，BJT设计是如何的？将来的发展会如何？  在CMOS中的双极问题是什么？ 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 1. 在BJT 的非理想效应（续） □ 高的集电极电流效应 I υ 随着 C ，集电极电子速度 ↑。但是，存在一个极限： sat 。 I 那么，当 C 接近： I = qA N υ C E C sat 集电结的静电势发生巨大的改变晶体管的性能衰减： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 做一阶近似： I C 2 ; I Cp k ; I CK 主要起因：在集电结SCR 内部电流对基区宽度调整I C 2 有效的准性基区宽度 ↑ β F 新的延迟成分 f Tp k ↓ N C 的主要设计问题： N C I CK f Tp k 试验[Crabbe IEDM 1 3] ： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 主要的折衷：