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放置掩膜板 曝光 显影 淀积一层介电层在晶圆上 淀积掩膜层 涂光刻胶 曝光 刻蚀多晶硅图形：利用干法刻蚀技术刻蚀多晶硅 去除光刻胶 栅氧化层刻蚀 离子注入形成PMOS的源漏区 利用光刻技术形成PMOS源极及漏极区域的屏蔽之后，再利用离子注入技术将硼元素注入源极及漏极区域，而后将晶圆表面的光刻胶去除。 涂光刻胶 放置掩膜板 显影 注入磷离子 离子注入形成NMOS源漏区 涂光刻胶后，利用光刻技术形成NMOS源极与漏极区域的屏蔽，再利用离子注入技术将磷元素注入源极与漏极区域，而后将晶圆表面的光刻胶去除。 利用退火技术，将经离子注入过的漏极和源极进行扩散处理 加入硼磷杂质的二氧化硅有较低的溶点，硼磷氧化层加热到摄氏800度时 会有软化流动的特性，可以利用来进行晶圆表面初级平坦化，以利后续光 刻工艺条件的控制。 接触孔的形成 涂光刻胶，利用光科技术形成第一层接触金属孔的屏蔽。再利用活性离子刻蚀技术刻蚀出接触孔。 采用金属填充通孔 定义出第一层金属的图形 淀积第一层金属并完成第一层技术引线的光刻和刻蚀。通过溅射的方法在硅表面淀积一层金属，作为第一层金属引线材料。然后采用第一层金属掩膜板进行光刻，通过干法刻蚀技术完成第一层金属引线的刻蚀，从而获得第一层金属引线图形。 通过溅射的方法在硅表面淀积一层金属，作为第一层金属引线材料。 涂光刻胶 由于氧化层中正电荷的作用以及负的金属(铝)栅与衬底的功函数差，使得在没有沟道离子注入技术的条件下，制备低阈值电压(绝对值)的PMOS器件和增强型NMOS器件相当困难。于是，采用轻掺杂的n型衬底制备PMOS器件，采用较高掺杂浓度扩散的p阱做NMOS器件（使阈值电压从负变正，因为高的表面态会使NMOS的阈值电压为负），在当时成为最佳的工艺组合。 * N阱CMOS芯片剖面示意图 * 2.N阱CMOS工艺 N阱CMOS正好和P阱CMOS工艺相反，它是在P型衬底上形成N阱。因为N沟道器件是在P型衬底上制成的，这种方法与标准的N沟道MOS(NMOS)的工艺是兼容的。在这种情况下，N阱中和了P型衬底， P沟道MOS管会受到过渡掺杂的影响。 * N阱CMOS工艺 早期的CMOS工艺的N阱工艺和P阱工艺两者并存发展。但由于N阱CMOS中NMOS管直接在P型硅衬底上制作，有利于发挥NMOS器件高速的特点，因此成为常用工艺 。 * 3.双阱CMOS工艺 随着工艺的不断进步，集成电路的线条尺寸不断缩小，传统的单阱工艺有时已不满足要求，双阱工艺应运而生。 * CMOS工艺流程(以N阱CMOS为例) 反相器版图 清洁硅表面 有利于生长SiO2 2.生长P外延层 3。 初始氧化(一次氧化)。 目的：在已经清洗洁净的N型硅表面上生长一层二氧化硅，作为N型衬底（N阱） 掺杂的屏蔽层。 4. 放置掩膜版。第一次光刻淹没版，其图形是所有需要制作N阱和相关N-区域的图形。 5. 曝光 6. 利用无机溶液如硫酸或干式臭氧(O3)烧除法将 光刻胶去除。 7.N阱离子注入利用离子注入的技术，将磷打入晶圆中，形成N阱 8.去除光刻胶 9.退火和杂志再分布 将离子注入后的硅片去除表面的光刻胶并清洗干净，在氮气环境(中性环境)下退火 ，恢复被离子注入损伤的硅晶格。退火完成后，在高温下进行杂志再分布， 目的是形成所需的N阱结深。 10.低氧生长。 通过热氧化在平整的硅表面生长一层均匀的氧化层。目的是作为硅与氧化硅 的缓冲层，因为下一步工艺是淀积氮化硅，如果直接将氮化硅淀积在硅表面 ，虽然对屏蔽场氧化效果是一样的，但由于氮化硅与硅的晶格不匹配，将硅 表面引入晶格缺陷，所以生长一层底氧将起到缓冲作用。以后底氧去除后， 硅表面仍保持较好的界面状态。 11.淀积氮化硅并刻蚀场区 淀积氮化硅：采用CVD技术在底氧上淀积一层氮化硅薄膜 光刻有源区、刻蚀氮化硅：采用等离子体干法刻蚀技术，在有源区保留氮化硅，在场区去除氮化硅。 有源区：指将来要做晶体管、掺杂和接触电极等的 区域； 场区：是芯片上有源区之外的所有区域，场区的氧化层厚度远大于有源区的氧化层厚度。 淀积氮化硅 涂光刻胶 掩膜 曝光 显影 刻蚀氮化硅 去除光刻胶 场氧化：对硅片进行高温热氧化，生长大约1.2um厚度的场氧化层。因为氮化硅 保护，所以在有源区不会生长氧化层，仅在场区生长了所需的厚氧化层。 去除氮化硅、栅氧化:采用干法刻蚀技术将硅片表面的氮化硅层全部去除， 并将底氧化层也去除。 在清洗以后进行栅氧化，生长一层高质量的氧化层。 淀积多晶硅：利用CVD技术淀积多晶硅薄膜 3.双阱CMOS工艺 随着工艺的不断进步，集成电路的线条尺寸不断缩小，传统的单阱工艺有时已不满足要求，双阱工艺应运而生。 * 双阱CMOS工艺 通常双阱CMOS工艺采用的原始材料