窄线宽可调谐外腔半导体激光器阵列3-Core.PDFVIP

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窄线宽可调谐外腔半导体激光器阵列3-Core

光 电 子 ·激 光 第 15 卷 第 4 期  2004 年 4 月 Vol. 15 No. 4  Apr. 2004       J ournal of Optoelectronics ·L aser        窄线宽可调谐外腔半导体激光器阵列 张向苏 , 刘  守 , 李森森 (厦门大学物理系 ,福建 厦门 361005) ( ) 摘要 :介绍一种半导体激光器 LDs 阵列的外腔可调谐系统。腔体是 Littrow 结构 ,2 个透镜将光栅选取 的锁模光信号形成颠倒阵列像反馈回各个LD 中。系统容易调整 ,对中心波长 810 nm 、输出功率 20 W ( ) 的单排24 管LDs 阵列 ,在光学元件参数均非最佳的情况下 ,获得线宽 0. 5 nm 230 GHz 、可调范围近30 nm 和输出功率为 LDs 阵列自由运行时的 60 % 。实验结果表明 ,阵列中单个 LD 接收到的锁模信号并 不必是自己发出的光 ,而可以来自阵列中其它 LDs ;此外 ,只要阵列中部分LDs 获得锁模信号 ,即可达到 全阵列锁模的目的。 ( ) 关键词 :窄线宽 ; 外腔 ; 半导体激光器 LDs 阵列 ; 可调谐 中图分类号: TN248. 4   文献标识码 :A   文章编号 (2004) Narrowline width , Tunable , External Cavity Semiconductor Lasers Array ZHAN G Xiangsu , L IU Shou , L I Sensen ( Physics Department ,Xiamen University ,Xiamen 361005 ,China) ( ) Abstract :An external cavity ,tunable semiconductor lasers LDs array system was introduced. The system has Littrow configuration. The laser consisted of 24 LDs in a row ,with central wavelength 810 nm and 20 W output power. The modelocking signal selected by a grating was fed back to LD array as an inversed array image by two lenses. The system is relatively easy to adjust. 0 . 5 nm (230 GHz) linewidth and 30 nm

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