摘要-高雄第一科技大学.PDF

摘 要 (PZT) 10 m 在現有的眾多鋯鈦酸鉛 厚膜製程中，厚度大於 μ 以上，可以刮刀成形 1 m (PVD) 或塊材燒結等方法製備，而厚度小於 μ 以內，可以物理氣相沈積 等方法製 1~10 m 備，但厚度在 μ 的範圍內，是傳統方法較不易達成的範圍。因此，本實驗便以 此為目標嘗試利用有機金屬鹽裂解法(MOD)及電泳法(EPD) ，兩種方法來達成製造 PZT 厚膜的目的。 在有機金屬鹽裂解法的研究中，嘗試添加與不添加 PZT 微粉，並藉由改變不同微 粉濃度觀察厚度及電性上的變化。經實驗結果顯示，在不添加 PZT 微粉的實驗中，以 (precursor) 0.3M 0.3 m 前驅物 濃度為 時最佳，且每層平均披覆膜厚厚度約為 μ 。在極化 - (P-E curve) Pr 12.2~28.99 C/cm2 PZT 量 電場曲線 量測到之 值 μ ；在添加 微粉方面，以 前驅物及添加微粉濃度分別為 0.25M 及 0.05M 時較佳，每層平均披覆厚度約為 0.68 μ m - Pr 22~33.6 C/cm2 ，極化量電場曲線量測到之 值在 μ ，因此可確定添加微粉有益膜 厚及極化量的增加。雖然添加微粉後的電性及膜厚較好，但在退火後膜面會產生突起 顆粒影響元件製作。 在電泳法方面，以商用粉及以 sol-gel 法製成之 PZT 微粉進行披覆，當外加電壓 24V 5 wt% 3 為 時，以濃度為 粉末在乙酸甲酯中懸浮及披覆效果較好。在經過 分鐘鍍 5.4 m 3.3 m 膜時間下膜厚分別為 μ 及 μ 。本次電泳法經高溫燒結後因孔隙度過高，所 以無法順利量得電性。 - 1 - Abstract There are many methods to prepare PZT films. For examples, tape casting can be used to μ μ prepare films with thickness above 10 m, and PVD methods can be used for films below 1 m μ μ thickness. However, it is difficult to prepare films of thickness between 1 m and 10 m by traditional methods. Therefore, the purpose of this study is to inve